(VDS)为30V**,**最大门源电压(VGS)为20V(±)**,并且具有 **较低的阈值电压(Vth)为1.7V**,使其在低电压条件下即可导通,适合低电压控制
2025-09-09 11:54 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:VBsemi 1N90L-TA3-T-VB是一款单N沟道功率MOSFET,具有900V的漏极-源极电压(VDS)和30V的最大门极-源极电压(VGS)。采用SJ_Multi-EPI
2024-07-09 14:08 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:VBsemi 18P10GI-VB TO220F MOSFET是一款单P沟道功率MOSFET,具有-100V的漏极-源极电压(VDS)和20V的最大门极-源极电压(VGS)。采用槽
2024-07-08 16:44 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:VBsemi 18N60-VB TO247 MOSFET是一款单N沟道功率MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS)和30V的最大门极-源极电压(VGS)。采用平面
2024-07-08 15:57 微碧半导体VBsemi 企业号
** 的最大门源电压(VGS)范围。该MOSFET的 **阈值电压(Vth)** 为 **1.7V**,可以在较低电压下实现导通,适用于各种中低电压应用。它的 **导通
2025-09-09 11:41 微碧半导体VBsemi 企业号
处理高电流和高效率的应用。其漏源极电压(VDS)为 30V,最大门源极电压(VGS)可达 ±20V,适合广泛的驱动条件。BSC080N03LS G-VB 的导通电阻
2025-01-08 16:57 微碧半导体VBsemi 企业号
说明:- **型号**:2SK1589-T1B-A-VB- **封装**:SOT23-3- **构型**:单 N 通道- **VDS(漏极-源极电压)**:100V- **VGS(最大门
2024-07-17 14:14 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:VBsemi 18NM60N-VB TO263 MOSFET是一款单N沟道功率MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS)和30V的最大门极-源极电压(VGS)。采用
2024-07-08 16:19 微碧半导体VBsemi 企业号