;TAG5000A型无线核相器的主要优点在于去掉了连接开路点两端的引线，仪器通过无线电信号来通讯，使用范围可以扩展到近20米，并且可以穿过围墙和隔板使用，使用起来比
2021-11-29 16:39 武汉华顶电力设备有限公司 企业号
（VDS）为30V**，**最大门源电压（VGS）为20V（±）**，并且具有 **较低的阈值电压（Vth）为1.7V**，使其在低电压条件下即可导通，适合低电压控制
2025-09-09 11:54 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：VBsemi 1N90L-TA3-T-VB是一款单N沟道功率MOSFET，具有900V的漏极-源极电压（VDS）和30V的最大门极-源极电压（VGS）。采用SJ_Multi-EPI
2024-07-09 14:08 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：VBsemi 18P10GI-VB TO220F MOSFET是一款单P沟道功率MOSFET，具有-100V的漏极-源极电压（VDS）和20V的最大门极-源极电压（VGS）。采用槽
2024-07-08 16:44 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：VBsemi 18N60-VB TO247 MOSFET是一款单N沟道功率MOSFET，具有650V的漏极-源极电压（VDS）和30V的最大门极-源极电压（VGS）。采用平面
2024-07-08 15:57 微碧半导体VBsemi 企业号
**最大漏源电压（VDS）为30V**，**最大门源电压（VGS）为20V（±）**，适用于低电压的电源管理系统。其 **阈值电压（Vth）** 为 **1.7V**，
2025-09-09 11:45 微碧半导体VBsemi 企业号
说明：- **型号**：2SK1697-VB- **封装**：SOT89- **构型**：单 N 通道- **VDS（漏极-源极电压）**：60V- **VGS（最大门极-源极电压）**：20V（±）
2024-07-17 15:06 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：VBsemi 200P03LS-VB是一款单P沟道功率MOSFET，采用DFN8(5X6)封装，具有-30V的漏极-源极电压（VDS）和20V的最大门极-源极电压（VGS）。采用槽
2024-07-09 14:45 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：VBsemi 19NF20-VB TO220 MOSFET是一款单N沟道功率MOSFET，具有200V的漏极-源极电压（VDS）和20V的最大门极-源极电压（VGS）。采用槽道
2024-07-08 17:17 微碧半导体VBsemi 企业号
