处理高电流和高效率的应用。其漏源极电压(VDS)为 30V,最大门源极电压(VGS)可达 ±20V,适合广泛的驱动条件。BSC080N03LS G-VB 的导通电阻
2025-01-08 16:57 微碧半导体VBsemi 企业号
:60V- 电流:45A- 导通电阻:24mΩ @ VGS=10V- 阈值电压:1.8V- 最大门源电压:20V### 适用领域和模块示例1. **电源管理**:由于
2024-06-12 16:02 微碧半导体VBsemi 企业号
最大漏源极电压(VDS)为 -20V,适用于需要负电压控制的场合。最大门源极电压(VGS)为 ±20V,提供了广泛的驱动条件。BSO203SP-VB 的导通电阻(R
2025-01-09 14:13 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**AUIRFU3607-VB** 是一款高性能单N通道MOSFET,封装为TO251。它具有80V的最大漏极源极电压(VDS),以及±20V的最大门源极电压(VGS)。门槛电压
2025-01-06 11:44 微碧半导体VBsemi 企业号
;TAG5000A型无线核相器的主要优点在于去掉了连接开路点两端的引线,仪器通过无线电信号来通讯,使用范围可以扩展到近20米,并且可以穿过围墙和隔板使用,使用起来比
2021-11-29 16:39 武汉华顶电力设备有限公司 企业号
电压(VDS)为 60V,适用于中等电压环境。最大门源极电压(VGS)为 ±20V,提供广泛的驱动能力。BSP319-VB 的导通电阻(RDS(ON))在 VGS
2025-01-09 15:23 微碧半导体VBsemi 企业号