;TAG5000A型无线核相器的主要优点在于去掉了连接开路点两端的引线，仪器通过无线电信号来通讯，使用范围可以扩展到近20米，并且可以穿过围墙和隔板使用，使用起来比
2021-11-29 16:39 武汉华顶电力设备有限公司 企业号
### 产品简介：VBsemi 1N90L-TA3-T-VB是一款单N沟道功率MOSFET，具有900V的漏极-源极电压（VDS）和30V的最大门极-源极电压（VGS）。采用SJ_Multi-EPI
2024-07-09 14:08 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：VBsemi 18P10GI-VB TO220F MOSFET是一款单P沟道功率MOSFET，具有-100V的漏极-源极电压（VDS）和20V的最大门极-源极电压（VGS）。采用槽
2024-07-08 16:44 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：VBsemi 18N60-VB TO247 MOSFET是一款单N沟道功率MOSFET，具有650V的漏极-源极电压（VDS）和30V的最大门极-源极电压（VGS）。采用平面
2024-07-08 15:57 微碧半导体VBsemi 企业号
处理高电流和高效率的应用。其漏源极电压（VDS）为 30V，最大门源极电压（VGS）可达 ±20V，适合广泛的驱动条件。BSC080N03LS G-VB 的导通电阻
2025-01-08 16:57 微碧半导体VBsemi 企业号
说明：- **型号**：2SK1589-T1B-A-VB- **封装**：SOT23-3- **构型**：单 N 通道- **VDS（漏极-源极电压）**：100V- **VGS（最大门
2024-07-17 14:14 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：VBsemi 18NM60N-VB TO263 MOSFET是一款单N沟道功率MOSFET，具有650V的漏极-源极电压（VDS）和30V的最大门极-源极电压（VGS）。采用
2024-07-08 16:19 微碧半导体VBsemi 企业号
：60V- 电流：45A- 导通电阻：24mΩ @ VGS=10V- 阈值电压：1.8V- 最大门源电压：20V### 适用领域和模块示例1. **电源管理**：由于
2024-06-12 16:02 微碧半导体VBsemi 企业号
