VDS由流过的电流ID与导通电阻的乘积来确定。为什么这个区被定义为可变电阻区呢？功率MOSFET数据表中定义的导通电阻都有一定的条件，特别是VGS，当VGS不同时，沟道
2016-12-21 11:39
；倍数越大，饱和程度就越深。2.集电极电阻 越大越容易饱和；3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制问题：基极
2015-06-04 17:43
康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET、JFET中都有提到，都是在栅源电压等于0的时候
2019-04-08 03:57
MOSFET工作也可以工作在饱和区，即放大区恒流状态，此时，电流受到沟道内电子数量的限制，改变漏极电压不能增加流通电流。
2016-08-15 14:31
电压。导通电阻表示功率MOSFET完全开后的电阻，和上述的线性区工作状态并不相同。功率MOSFET的内部二极管导通的反向工作状态，因为其S、D极的电压为二极管的压降，因此并没有线性
2017-04-06 14:57
LPC55xx 内部 DC/DC 转换器中电感器的最小饱和电流规格为 300mA，为什么是 300mA，流经电感器的实际电流是多少？ 1）这是LPC55xx的内部DC/DC转换器框图，在LX引脚
2023-05-17 07:27
下述的各条目，在关于“重要检查点”规格以外确认，前项已经说明“MOSFET的漏极电压和电流、及输出整流二极管的耐压”。这里将说明“变压器的饱和”。MOSFET的漏极电压
2018-11-27 16:47
。 图5给出一个实际MOSFET在室温下的正偏置时输出特性曲线，即在不同的栅极电压情况下，MOSFET端电压与流经的电流的关系曲线族。图中是以实验点的形式给出，将线性区
2024-06-13 10:07
MOSFET基本上已经导通。图1：AOT460栅极电荷特性对于上述的过程，理解难点在于：(1) 为什么在米勒平台区，VGS的电压恒定？(2) 驱动电路仍然对栅极提供驱动电流、仍然对栅极电容充电，为什么栅极
2016-11-29 14:36
MOSFET的耐压、电流特性和热阻特性，来理解功率MOSFET的安全工作区SOA曲线。它定义了最大的漏源极电压值、漏极电流
2016-10-31 13:39
