MX25L25673GM2I-08G 产品概述MX25L25673GM2I-08G 是由 Macronix 生产的一款高性能 NOR Flash 存储器，具有 256Mb（32MB
2024-11-10 22:10 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 4N06L08-VB TO263 MOSFET 产品简介4N06L08-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO263 封装。它具有优秀的电气特性
2024-11-13 14:41 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi 的 2N08L21-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装。这款 MOSFET 具有高电压承受能力和低导通电阻，适用于中功率应用。### 详细
2024-07-11 15:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi的2N08L50-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用Trench技术，封装在TO252中。这款MOSFET适用于中电压、中电流的开关应用，具有适中的导通电阻和漏
2024-07-11 15:23 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、4P04L08-VB TO220 产品简介4P04L08-VB 是一款单P沟道MOSFET，采用TO220封装。该产品具有负漏极-源极电压（VDS），适用于需要负电压控制的高功率电源开关
2024-11-13 17:35 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介详**VBsemi 2N03L08-VB TO263** 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术制造。该器件具有高电流处理能力和低导通电阻，适用于要求高效率和高
2024-07-11 14:42 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：SUD08P06-155L-E3-VB丝印：VBE2610N品牌：VBsemi详细参数说明：- 沟道类型：P沟道- 额定电压：-60V- 额定电流：-38A- 导通电阻：61mΩ（在10V下
2023-12-13 14:37 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介4P04L08-VB是一款单P沟道MOSFET，采用TO263封装，具备优秀的负向漏源电压能力和高电流承受能力，适用于各种需要高性能功率开关的电子应用。### 详细参数
2024-11-13 17:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介4N06L08-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，采用TO252封装，具备优异的电流承载能力和低导通电阻。该器件适用于各种需要高效能和可靠性的电源和开关应用场合。### 详细参数
2024-11-13 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：SUD50P08-25L-E3-VB丝印：VBE2102N品牌：VBsemi参数说明：- P沟道- 额定电压：-100V- 最大电流：-50A- 静态导通电阻(RDS(ON))：22m
2023-12-22 11:36 微碧半导体VBsemi 企业号
