通电阻和快速开关特性,非常适合用于各种电源管理和负载控制场景。其优越的性能使得IXTY26P10T-VB在现代电子设计中成为重要的组成部分,能够有效提升系统的效率和
2025-09-28 09:52 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi的26CN10N-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用先进的沟槽技术制造,具有低导通电阻和高电流能力,适用于高效能电源管理和大电流应用。其封装形式为TO-263
2024-07-11 11:37 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、3N10L26-VB 产品简介3N10L26-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO263封装。该产品具有100V的漏源极电压(VDS),20V的栅源极电压(VGS),1.8V
2024-11-07 16:05 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi 的 26CN10N-VB 是一种单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装。这款 MOSFET 采用沟槽技术设计,具有高效的导电性能和低导通电阻,适用于各种电源
2024-07-11 11:34 微碧半导体VBsemi 企业号
处理能力,非常适合在电源管理、汽车电子和工业控制等领域的应用。### 详细的参数说明- **型号**: 26CN10N-VB- **封装**: TO262- **
2024-07-11 11:35 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介(IPP47N10SL-26-VB)IPP47N10SL-26-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,封装形式为 TO-220。这款 MOSFET 设计用于高电压和中等电流
2025-09-01 11:41 微碧半导体VBsemi 企业号
### IPI47N10SL-26-VB MOSFET 产品简介IPI47N10SL-26-VB 是一款高性能 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO262 封装。其设计专注于高效电源管理,能够处理
2025-08-27 17:32 微碧半导体VBsemi 企业号