Ω@10V, 26mΩ@4.5V, 20Vgs(±V)- 阈值电压(Vth)：-2V- 封装类型：TO252应用简介：SUD50P08-25L-E3-VB是一种P沟道MO
2023-12-22 11:36 微碧半导体VBsemi 企业号
MX25L25673GM2I-08G 产品概述MX25L25673GM2I-08G 是由 Macronix 生产的一款高性能 NOR Flash 存储器，具有 256Mb（32MB
2024-11-10 22:10 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 一、3N10L26-VB 产品简介3N10L26-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO263封装。该产品具有100V的漏源极电压（VDS），20V的栅源极电压（VGS），1.8V
2024-11-07 16:05 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4N06L08-VB TO263 MOSFET 产品简介4N06L08-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO263 封装。它具有优秀的电气特性
2024-11-13 14:41 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi 的 2N08L21-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装。这款 MOSFET 具有高电压承受能力和低导通电阻，适用于中功率应用。### 详细
2024-07-11 15:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi的2N08L50-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用Trench技术，封装在TO252中。这款MOSFET适用于中电压、中电流的开关应用，具有适中的导通电阻和漏
2024-07-11 15:23 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、4P04L08-VB TO220 产品简介4P04L08-VB 是一款单P沟道MOSFET，采用TO220封装。该产品具有负漏极-源极电压（VDS），适用于需要负电压控制的高功率电源开关
2024-11-13 17:35 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**UT4404L-S08-R-VB** 是一款采用 SOP8 封装的单N通道MOSFET，设计用于高效能电源管理和开关应用。该MOSFET具有30V的最大漏源电压（V_DS
2025-09-09 13:48 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：SUD08P06-155L-E3-VB丝印：VBE2610N品牌：VBsemi详细参数说明：- 沟道类型：P沟道- 额定电压：-60V- 额定电流：-38A- 导通电阻：61mΩ（在10V下
2023-12-13 14:37 微碧半导体VBsemi 企业号
### VBsemi 26N50L-VB MOSFET 产品概述VBsemi 26N50L-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET，采用 TO3P 封装，适用于需要高效能功率开关
2024-07-11 11:42 微碧半导体VBsemi 企业号
