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型号：STD2000 品牌：

分立器件静态参数测试系统&能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......陕西天士立科技有限公司/STD2000/分立器件静态参数测试仪系统。测试Si,SiC,GaN & IGBT

2024-07-30 17:11 陕西天士立科技有限公司 企业号

型号：STD2000 品牌：

分立器件参数测试仪系统&能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......分立器件参数测试仪系统能测试很多电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电

2024-07-30 11:12 陕西天士立科技有限公司 企业号

型号：STD2000 品牌：

半导体分立器件静态参数测试系统&能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......半导体分立器件静态参数测试系统能测试很多电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V

2024-07-30 08:56 陕西天士立科技有限公司 企业号

型号：RF-<b class='flag-s-7'>MOSFET</b>-DRIVER 品牌：

RF-MOSFET-DRIVER型号简介       RF-MOSFET-DRIVER是Microchip推出的一款碳化硅肖特基二极管，这款二极管低寄生

2024-10-25 16:05 立年电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>MOSFET</b>、IGBT、DIODE、BJT 品牌：广电计量

产品范围：MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半导体器件等分立器件，以及上述元件构成的功率模块测试项目：静态参数符号Drain to Source Bre

2022-05-25 14:26 广电计量 企业号

型号：IRLF120 功率<b class='flag-s-7'>MOSFET</b> 品牌：

IRLF120 功率MOSFET详解产品概述：IRLF120 是一款高效的N沟道功率MOSFET，专为低电压高电流应用设计。其优越的导通性能和快速的开关特性，使其成为电源转换和电机驱动的理想选择

2024-10-27 18:32 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：C4D20120A 品牌：

C4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更加坚固可靠。将碳化硅

2022-06-03 19:12 立年电子科技 企业号

型号：C4D20120H 品牌：

C4D20120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更加坚固可靠。将碳化硅

2022-06-03 19:01 立年电子科技 企业号

型号：C4D15120H 品牌：

C4D15120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更加坚固可靠。将碳化硅

2022-06-03 18:30 立年电子科技 企业号

型号：C4D10120A 品牌：

C4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更加坚固可靠。将碳化硅

2022-06-03 18:25 立年电子科技 企业号