像蜡烛一样,功率MOSFET(功率场效应晶体管)是切换负载最常见的方式,其四周围绕着众多分立电阻器与电容器(以及用于控制功率MOSFET的双极结型晶体管(BJT)/第二个场效应晶体管)围绕的功率
2022-11-17 08:05
在知道用电之前,人们用蜡烛照明。这在过去是常用的能在黑暗中视物的照明方式,但灯泡的发明显然是更好的解决方案。像蜡烛一样,功率MOSFET(功率场效应晶体管)是切换负载最常见的方式,其四周围绕着众多分立
2018-09-03 15:17
的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封,在部分应用中可以替代传统的IGBT (硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封),使得IGBT的开关损耗大幅降低。这款混合碳化硅分立器件的性能介于超结MOSFET
2023-02-28 16:48
DCT1401半导体分立器件静态参数测试系统西安天光测控DCT1401半导体分立器件静态参数测试系统能测试很多电子元器件的静态直流参数(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs
2022-02-17 07:44
小无铅封装分立器件,全绿色封装等,而且将无铅化向功率分立器件、玻璃和陶瓷产品转移,提供功率产品的无铅封装,包括高功率模块、专用或标准功率模块、功率类型的MOSFET、双极晶体管、射频晶体管、肖特基
2018-08-29 10:20
描述TIDA-01162 演示了集成式和分立式低压电机驱动解决方案之间的主要差异。分立式解决方案使用两个大型外部 MOSFET 实施,而集成式解决方案使用 TI 的 DRV8850 刷式直流电机
2018-12-07 14:22
650 V CoolSiC™混合分立器件,该器件包含一个50A TRENCHSTOP™ 快速开关 IGBT 和一个 CoolSiC 肖特基二极管,能够提升性价比并带来高可靠性。这种组合为硬开关拓扑
2021-03-29 11:00
概述负载开关电路日常应用比较广泛,主要用来控制后级负载的电源开关。此功能可以直接用IC也可以用分立器件搭建,分立器件主要用PMOS加三极管实现。本文主要讨论分立器件的实现的细节。电路分析如下图所示R5模拟后级负载,
2021-10-28 08:28
ORing系统。” IR的DirectFET MOSFET封装已获得专利,它集中了标准塑料分立封装所不具备的一系列设计优点。其中的金属罐构造能发挥双面冷却功能,使用以驱动先进微处理器的高频DC-DC降压
2018-11-26 16:09
电压,从而成为可通过以往的分立结构很难实现的高精度来控制DC风扇电机旋转速度的业界首款*电源IC。集成为IC后使控制进一步优化,不仅效率大幅提升,还可减少部件数量、提高开关速度,实现外围元器件的小型化
2018-12-04 10:18