上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-Id特性Vd-I
2018-12-03 14:29
要点:・Hybrid MOS是兼备MOSFET和IGBT优势的新结构MOSFET。・同时具备MOSFET的高速性、在低电流范围的低损耗、
2018-11-28 14:25
`1. 由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大，可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2. IGBT可以做很大功率，电流和电压都可以，就是一点频率不是太高，目前
2018-08-27 20:50
MOSFET和IGBT内部结构不同,决定了其应用领域的不同. 1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强,IXY
2025-03-25 13:43
本帖最后由 24不可说 于 2018-10-10 08:23 编辑 MOSFET和IGBT内部结构不同,决定了其应用领域的不同. 1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上
2017-04-15 15:48
MOSFET和IGBT内部结构不同,于是也决定了其应用领域的不同，今天就让小编带大家一起来了解一下MOSFET与IGBT的本质区别吧~1、由于
2021-06-16 09:21
发生故障，仅仅是因为某些数字性溢出故障。 图1：超级结MOSFET (a)和IGBT (b)横截面，模型中包含嵌入式样品制程参数 图2：可从一个物理模型扩展(a) SuperFET CRSS(b
2019-07-19 07:40
）。图片由Bodo的电力系统提供 因此，分析了四种最大dv/dt为5V/ns的可能解决方案： 1. IGBT的电压源驱动 2. 碳化硅-MOSFET的电压源驱动
2023-02-21 16:36
版）实用电力电子技术丛书《MOSFET、IGBT驱动集成电路及应用》MOS管驱动电路总结电源中的MOSFET性能的四项关键测试PFC中开关
2019-04-19 17:45
1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGB
2019-03-06 06:30
