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  • 分子外延(MBE)工艺及设备原理介绍

    分子外延(Molecular beam epitaxy,MBE)是一种在超高真空状态下,进行材料外延技术,下图为分子

    2024-01-15 18:12

  • 分子外延技术的原理及制备过程

    高质量的材料制备是一切器件研究的核心与基础,本篇文章主要讲述MBE的原理及制备过程。

    2025-06-17 15:05

  • 硅基复合衬底上分子外延HgTe/CdTe超晶格结构材料工艺研究

    碲镉汞材料具有截止波长在红外波段内可调节、光学吸收系数高、量子效率高等特点,是重要的红外探测器应用材料之一。近年来分子外延生长碲镉汞技术的快速发展,使用分子

    2023-09-26 09:18

  • 一文了解分子外延(MBE)技术

    HVPE主要是利用生长过程中的化学反应,如歧化反应、化学还原反应以及热分解反应等实现外延晶体薄膜的制备,具有生长温度高、源炉通气量大、生长速率大的特点,一般用来制备厚膜以及自支撑衬底,如GaN、AlN等。

    2023-10-22 10:41

  • 基于分子外延的短/中波双色碲镉汞材料及器件的最新研究进展

    本文报道了中国电子科技集团公司第十一研究所(以下简称“中国电科11所”)在短/中波双色碲镉汞红外探测器组件研制方面的最新进展:通过分子外延技术获得了高质量短/中波双色碲镉汞材料;

    2021-05-24 10:49

  • 一种逐层构建材料的新方法:分子外延

    除石墨烯外,还有许多其他的二维晶体,每一种都具有其独特的性质。有几种能天然地存在于地下的宝石中,例如工业中的一种重要润滑剂——二硫化钼。其他的二维晶体可通过分子外延法进行制备,例如绝缘体一氮化硼,以及在与过渡金属二

    2018-07-05 17:20

  • 分子外延In掺杂硅基碲镉汞技术研究

    随着碲镉汞红外焦平面技术的发展,对碲镉汞材料的面积大小、组分均匀性以及电学性质的要求越来越高。

    2023-09-20 09:36

  • 碲镉汞焦平面近十年的发展

    根据工程应用的不同需求,SITP重点发展了基于碲锌镉衬底的碲镉汞液相外延(LPE)和异质衬底的大面积碲镉汞分子外延(MBE)的材料制备技术

    2020-06-01 14:57

  • 压电材料是实现机械能与电能相互转换的功能材料

    为沉积高纯单晶膜层,可采用分子外延方法。喷射炉中装有分子源,在超高真空下当它被加热到一定温度时,炉中元素以束状

    2018-05-02 15:06

  • 物理气相沉积及溅射工艺(PVD and Sputtering)

    物理气相沉积(Physical Vapor Deposition, PVD)工艺是指采用物理方法,如真空蒸发、溅射 (Sputtering)镀膜、离子体镀膜和分子外延等,在圆片表面形成薄膜。

    2022-11-03 15:32