分子束外延(Molecular beam epitaxy，MBE)是一种在超高真空状态下，进行材料外延技术，下图为分子
2024-01-15 18:12
高质量的材料制备是一切器件研究的核心与基础,本篇文章主要讲述MBE的原理及制备过程｡
2025-06-17 15:05
碲镉汞材料具有截止波长在红外波段内可调节、光学吸收系数高、量子效率高等特点，是重要的红外探测器应用材料之一。近年来分子束外延生长碲镉汞技术的快速发展，使用分子
2023-09-26 09:18
HVPE主要是利用生长过程中的化学反应，如歧化反应、化学还原反应以及热分解反应等实现外延晶体薄膜的制备，具有生长温度高、源炉通气量大、生长速率大的特点，一般用来制备厚膜以及自支撑衬底，如GaN、AlN等。
2023-10-22 10:41
除石墨烯外，还有许多其他的二维晶体，每一种都具有其独特的性质。有几种能天然地存在于地下的宝石中，例如工业中的一种重要润滑剂——二硫化钼。其他的二维晶体可通过分子束外延法进行制备，例如绝缘体一氮化硼，以及在与过渡金属二
2018-07-05 17:20
为沉积高纯单晶膜层，可采用分子束外延方法。喷射炉中装有分子束源，在超高真空下当它被加热到一定温度时，炉中元素以束状
2018-05-02 15:06
基于InP基多层异质InGaAs探测材料体系，采用分子束外延技术开展了大面积均匀、低掺杂浓度吸收层InGaAs外延材料。所生长的In0.53Ga0.47As
2020-06-24 09:50
在这项研究中，使用机械剥离和分子束外延（MBE）技术制备了少层 γ-GaSe。通过对 X 射线光电子能谱（XPS）、X 射线衍射（XRD）、拉曼光谱和二次谐波产生（SHG）进行综合测量，验证了 GaSe 的晶体结构。
2023-06-25 17:13
，结合分子束外延技术，在InAs衬底上生长带间级联激光器材料，制备的窄脊器件室温激射波长接近4.6μm和5.2μm。
2023-12-06 10:18
/Si复合衬底和分子束外延技术的成熟，美国陆军实验室等研究机构在2009年前后重新开始了HgCdSe研究，2011年相关研究文章陆续发表。
2019-04-28 18:38
