如何减小高频运放的自激振荡？除了在反馈回路中并联电容的办法？
2023-04-06 17:28
自激推挽振荡电路的输入电压增大，为什么振荡频率就减小了
2017-05-16 08:57
通状态，此时将造成上下功率管的直通现象，造成MOSFET的损坏。以上现象可以通过调整驱动电路参数加以抑制。 图2 栅极振荡干扰实测波形 驱动电路的改进减小分布电感 若取极限情况，驱动电路的分布电感为
2018-08-27 16:00
无法消除。 （3）PCB进行重新布板，减小gs回路长度，进而减小寄生电感的大小。振荡现象依旧存在。（mosfet部分的PCB布板如图5所示）``
2019-05-10 09:21
）PCB进行重新布板，减小gs回路长度，进而减小寄生电感的大小。振荡现象依旧存在。（mosfet部分的PCB布板如图5所示）
2019-05-08 16:55
重要了。一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：（1）开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。（2
2017-01-09 18:00
如何减小高频运放的自激振荡？除了在反馈回路中并联电容的办法？
2023-04-26 14:41
°C 时典型值的两倍。采用正确封装时，SiC MOSFET 可获得 200°C 甚至更高的额定温度。SiC MOSFET 的超高工作温度也简化了热管理，从而减小了印刷电路板的外形尺寸，并提高了系统稳定性
2017-12-18 13:58
的稳健性、可靠性、高频应用中的瞬时振荡以及故障处理等问题。这就需要工程师深入了解SiC MOSFET的工作特征及其对系统设计的影响。如图1所示，与同类型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20
了。一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：（1）开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。（2
2019-02-21 06:30
