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30V超低内阻mos管SVG030R7NL5、SVG031R1NL5、SVG031R7NL5、SVG032R4NL5系列是 N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用士兰的LVMOS工艺技术制造。具有
2022-08-30 13:54 深圳市骊微电子科技 企业号
电压供电的设备,内部集成了一个低内阻大电流的P-MOSFET,使24V转5V/3A车充专用芯片AH8621拥有3.4A持续带载能力。。品质保证。现以开始大批量供货振
2021-08-04 15:45 振邦微科技 企业号
75mΩ内阻的高位NMOS,具有出色的负载和线路调节能力,可在宽输入电压范围内实现5A的连续输出电流。电流模式工作下提供了快速动态和简化回路的稳定性,工作开关频率
2023-03-03 14:52 深圳市雅欣控制技术有限公司 企业号
器件描述:漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 50uA 漏源导通电阻:2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):70W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 600V 4A。应用场景:适用于高效率开关电源、电机驱动器和照明应用等,可用于电源因数校正(PFC)电路中
2023-08-21 10:49 深圳上大科技 企业号