具有 N 沟道沟槽 MOSFET 的 40
2023-03-02 23:00
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N沟道MOS晶体管`
2012-08-20 08:03
PNP双极型晶体管的设计
2012-08-20 08:29
1.MOSFET的速度比晶体管或IGBT快。2.MOSFET的过电流适中；晶体管是一个流控流型的，要使集电极上的电流增大，基极上的电流就要增大，但是基极上的电流是无用的
2021-10-29 08:28
给栅极施加电压形成通道来流过电流。结构上MOSFET（以Nch为例）是相同N型的源极与漏极间流过电流，而IGBT是从P型的集电极向N型的发射极流过电流，也就是与双极晶体管
2020-06-09 07:34
`在传统MOSFET中，载流子从源极越过pn结势垒热注入到沟道中。而隧穿场效应晶体管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是带间隧穿
2018-10-19 11:08
型号:HC080N06LS【06N06】丝印：HC606参数：60V 6A 类型：N
2021-03-08 16:42
受到限制。但这种结构具有低的电容，因此开关速度快，主要适合低压应用，如微处理器、运放、数字电路及射频电路等。 图1：N沟道横向导电的平面结构
2016-10-10 10:58
`功率场效应晶体管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10
之间）和发射结（B、E极之间），发射结与集电结之间为基区。 根据结构不同，晶体管可分为PNP型和NPN型两类。在电路图形符号上可以看出两种类型晶体管的发射极箭头（代表集电极电流的方向）不同。
2013-08-17 14:24
