LMG341xR150 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能，使设计
2025-02-25 14:16
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能，使设计
2025-02-25 14:44
瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不
2012-06-26 11:01
瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150m（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：Super Junction）型功率MOSFETRJL60S5系列，将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐
2012-06-26 11:03
LMG341xR050 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能，使设计人
2025-02-26 09:23
LMG341xR070 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能，使设计人
2025-02-26 13:44
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2025-02-25 15:36
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能，针对开
2025-02-25 14:07
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2025-02-26 11:33
LMG342xR050 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比，TI 的
2025-02-24 09:55
