电子发烧友网站提供《具有集成驱动器和保护功能的LMG341xR150 600V
2024-03-28 11:19
电子发烧友网站提供《具有集成驱动器和保护功能的LMG341xR070 600V
2024-03-28 11:18
电子发烧友网站提供《具有过流保护功能的LMG341xR050 600V 50mΩ
2024-03-28 11:33
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能，使设计
2025-02-25 14:16
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能，使设计
2025-02-25 14:44
电子发烧友网站提供《600V 30mΩ具有集成驱动器、保护和温度报告功能
2024-03-21 14:17
电子发烧友网站提供《600V 50mΩ具有集成驱动器、保护和温度报告功能
2024-03-21 15:27
瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不
2012-06-26 11:01
LMG341xR050 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能，使设计人
2025-02-26 09:23
瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150m（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：Super Junction）型功率MOSFETRJL60S5系列，将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐
2012-06-26 11:03
