LMG3522EVM-042 在半桥中配置了两个 LMG3522R030 GaN FET，具有逐周期过流保护、锁存短路保
2025-02-24 14:04
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驱动器和保护
2025-02-21 17:46
LMG3522R030-Q1 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比，TI 的集成
2025-02-24 13:47
LMG352xR030 GaN FET 具有集成驱动器和保护
2025-02-24 14:42
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驱动器和保护
2025-02-24 11:24
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驱动器和保护
2025-02-25 14:07
LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET，适用于开关模式电源应用。该 LMG3616 通过将 GaN
2025-02-24 10:43
LMG3100 器件是一款具有集成驱动器的 100V 连续 120V 脉冲氮化镓 （GaN）
2025-02-21 11:19
LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，适用于开关模式电源应用。该LMG3614通过将 GaN
2025-02-21 14:37
LMG3100 器件是一款具有集成驱动器的 100V 连续 120V 脉冲氮化镓 （GaN）
2025-02-21 15:16
