氮化镓 （GaN） 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当压摆率很高时，特定的封装类型会限制GaN FET的开关性能。将GaN
2016-05-09 17:06
本文介绍了LMG1020主要特性，框图和典型应用电路图以及高压评估板LMG1020-HB-EVM主要特性，框图，电路图，材料清单和PCB设计图。
2019-04-05 11:02
对于 48V 电源系统中的 GaN FET 应用，现有的一种方法是使用基于 DSP 的数字解决方案来实现高频和高效率设计。这在很大程度上是由于缺乏设计用于GaN FET
2022-08-04 09:58
TI公司的LMG3410R050是具有过流保护的600-V 50-mΩGaN功率放大级,比硅MOSFET具有固有的优势包括超低输入和输出电容,零反向恢复以降低开关损耗达
2019-04-18 14:34
功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花时间执行数个供货商所使用的成本缩减策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及更低成本的塑料封装。对于电源设计人员来说，理解GaN有可能带来的性能提升，以及某些会随时间影
2015-11-08 18:00
在过去几年里，GaN技术，特别是硅基GaN HEMT技术，已成为电源工程师的关注重点。该技术承诺提供许多应用所需的大功率高性能和高频开关能力。然而，随着商用GaN FET
2023-02-09 09:34
LMG3410R070 GaN功率级器件的一个关键优点是在硬切换时控制转换速率，这种控制对于抑制PCB寄生电阻和EMI具有重要意义，TI这款产品采用可编程电流来驱动GaN
2019-01-07 10:39
氮化镓 （GaN） 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当压摆率很高时，特定的封装类型会限制GaN FET的开关性能。将GaN
2016-06-06 16:14
stm32f030和stm32f103功能差异主要表现在哪？
2021-07-22 09:35
指标。为了提高电源的效率，80 PLUS钛金级电源的设计人员正在寻找650 V GaN FET，实现更小、更快、更凉、更轻的系统，同时降低总体系统成本。
2023-02-08 09:17
