关于单片机中你不知道的秘密单片机还有能有什么秘密呢？基础知识了解上电过程学习总结与深化单片机还有能有什么秘密呢？我们从一开始学C语言或者学习单片机，都从main函数开始
2022-01-20 07:31
【拆解】FBI秘密跟踪器
2020-04-23 10:59
整个教程的目录：一.概述（本章）二.固件下载三.ESP8266模块配置四.Siri控制一个灯五.小爱同学控制一个灯实现的功能：1.可以用苹果手机的语音助手siri控制ESP8266的引脚高低电平（有
2022-02-14 07:48
摘要上次利用STM32单片机实现连接OneNET并支持Siri语音助手控制的功能，这次利用ESP-01S实现Siri远程控制灯开关和获取温湿度数据。代码支持ESP-01模块
2021-12-13 06:29
分享 Python数据可视化专家的七个秘密
2020-05-15 06:43
无论您是刚入门的电子技术爱好者，还是炉火纯青的电子技术大神，这本惊天秘籍，对您绝对有帮助！电子技术大神和菜鸟都不可不知的惊天秘密云盘地址： https://pan.baidu.com/s/1caWpqe
2017-07-13 08:50
揭秘苹果“地下黑工厂”
2019-04-10 15:15
` MOS管是属于绝缘栅场效应管，栅极是无直流通路，输入阻抗极高，极易引起静电荷聚集，产生较高的电压将栅极和源极之间的绝缘层击穿。 早期生产的MOS管大都没有防静电的措施，所以在保管及应用上要非常小心，特别是功率较小的MOS管，由于功率较小的MOS管输入电容比较小，接触到静电时产生的电压较高，容易引起静电击穿。 而近期的增强型大功率MOS管则有比较大的区别，首先由于功能较大输入电容也比较大，这样接触到静电就有一个充电的过程，产生的电压较小，引起击穿的可能较小，再者现在的大功率MOS管在内部的栅极和源极有一个保护的稳压管DZ（如下图所示），把静电嵌位于保护稳压二极管的稳压值以下，有效的保护了栅极和源极的绝缘层，不同功率、不同型号的MOS管其保护稳压二极管的稳压值是不同的。 虽然MOS管内部有了保护措施，我们操作时也应按照防静电的操作规程进行，这是一个合格的维修员应该具备的。`
2018-11-01 15:17
` MOS管的快速关断原理 R4是Q1的导通电阻没有Q1就没有安装的必要了，当低电位来时Q1为泻放扩流管。 功率MOS管怎样关断？能否用PWM实现,怎样实现？ 功率mosfet的三个端口，G极，D极，S极。G极控制mosfet的开通，关断，给GS极之间加正向电压（高电平）[url=13/]，达到导通电压门槛值之后就能导通。同理，[url=15/]给一个低电压（低电平）mosfet就能关断。既然是高低电平当然能用PWM实现，不过在具体应用中，应考虑PWM输出高低电平电压范围，PWM电压的输出驱动能力等。驱动能力太小，即使电压很高，依然无法驱动开通MOS管。这时候需要在PWM电路之后接PWM驱动电路，再来控制功率mosfet。这个PWM应该是具有负脉冲，可以快速关断MOS管。 MOS管的加速关断原理第一还有就是.R4的作用.也搞不懂.没。 看来楼不太清楚三极管的原理了，没有R4怎么满足Q1集电极反偏的要求（不管是PNP还是NPN三极管，其工作时必须满足集电结反偏，发射结正偏）.D1前施加一个负脉冲Q1就导通了，[url=31/]就可以把基极的电流抽走，加速MOS管的关断了啊。D1的作用是单向导通[url=32/]，不要把基极电流分往脉冲放大电路，让电流去接地。你明白了吗？ 它能起到加速MOS管关断的作用,谢谢 驱动电阻主要是让MOS管导通稍微变慢，以免过驱动，这样的好处是解决电磁兼容中的辐射问题，并联一个电阻是加速截止，降低MOS管的关断损耗。 MOS管的快速关断原理 R4是Q1的导通电阻没有Q1就没有安装的必要了，当低电位来时Q1为泻放扩流管简要分析了UC3637双PWM控制器和IR2110的特点，工作原理。由UC3637和IR2110共同构建一种高压大功率小信号放大电路，并通过。 MOS管D1的作用加快矩形波上升沿速度？这里还是不懂.这个。 这个电路是用来提高MOSFET关断速度的，本来用逻辑门直接驱动也很快，但是有可能逻辑门的最大输出电流不够大，因此可以利用那个PMOS快速关断。在功率MOSFET电路中，快速关断在安全性上要比能够快速打开重要。 求问MOS管关断延迟大怎么调？ 搞搞前级，搞搞后级。就可以了。。。断掉前级，测试MOS输入电平。是低就上拉，高就下拉。总之跟他对着干。然后把前级加上去。试试看。调栅极的电阻啊或许可以的。 如何加快MOS管关断 可以在栅极加个跟随器来驱动栅极，可以缩短开关时间，在栅极加个电阻或电容到地对场管开关的过程进行放电，以上都是提高开关速度的方法！！电路太小，不完整。 mos管做开关电路,5V接G,S极,则D,S极导通,但是断开5。 要有栅极泄防回路管子才能快速顺利地截止。由于栅极和衬底之间有一层薄薄的二氧化硅绝缘层，所以栅极和衬底之间相当于存在一个电容。当G加上电压后就会给这个电容充电，当G上的电压撤掉后若G悬空电容的电荷是不能马上放掉的，实际上G极的电压仍然存在一段时间，所以不会马上截止。实际使用时当要求管子截止时必须要在GS之间建立泄放回路（比如直接短路或通过电阻放电）才可以。 一个三极管和P-MOSFET构成的开关电路,打开正常,关断。 等效电容相对于开关电路来说是可以忽略的（除非频率特别高），MOS管属压控原件，对于一般开关电路开关速度应该差不多。 `
2019-01-08 13:51
` 1、MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。 至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。 对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。 MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。 在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。 2、MOS管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。 3、MOS管开关管损失 不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。 MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。 导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。 4、MOS管驱动 跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。 在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。`
2018-10-18 18:15
