Moreover, in burst on time, the first pulse drives the MOSFET at high side with limited pulse width
2017-05-05 15:43
is 470 pF, or 10 times larger than the example in Figure 1. When the input pulse is high (after
2018-09-26 11:55
有对移相全桥DCDC400V转14V车载用有所研究的小伙伴吗，关于是否需要隔直电容，及其选型（CBBor MKP的薄膜电容，容值）很疑惑。有相关量产经验可以分享吗。目前市场上的一家量产方案是没有隔直电容，甚至没有MOS上外接电容。
2018-10-21 12:11
我买了一个High Voltage MOSFET Switch 想用来产生高压方波脉冲。我先用低电压（20 V）进行测试脉冲形状是否是方形。我上传了我手画的电路示意图，以及卖家网站提供的电路参考图
2019-04-06 03:35
RCD Snubber电路的基本类型及其工作原理
2021-04-20 06:02
薄膜电容器由于具有很多优良的特性，因此是一种性能优秀的电容器。它的主要特性如下：无极性，绝缘阻抗很高，频率特性优异(频率响应宽广)，而且介质损失很小。
2020-03-26 09:03
LS1046ARDB PPA 在以下提交中启用了 CPUACTLR_EL1（强制按顺序加载）的位 [22]： 我在带有 LSDK-1703 的 LS1046ARDB -PB 板上遇到了一个问题，如果
2023-03-29 08:34
一直以来，英孚英语在我国英语培训领域都处于领军地位，而英孚英语之所以受到广大学子青睐，正是因为英孚学习效果显著，这里简单分析一下英孚学习效果显著的原因。第一，专业的教材
2015-08-14 14:04
实在是找了一圈都是全英的，有哪位友友有中文版的吗
2022-11-22 21:50
查看中文资料时，IR2110有一项参数是说，图腾柱输出峰值电流为2A；对比其英文数据手册，有一项参数是Output high short circuit pulsed current。所以想请问一下，这一参数对实际的电路设计有什么帮助呢？比如说两片IR2110驱动
2017-04-26 11:03
