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2024-07-06 15:56 微碧半导体VBsemi 企业号
产品概述BCM47722A1KFEB1G是博通（Broadcom）公司推出的一款高性能GNSS（全球导航卫星系统）接收器芯片，专为移动设备和物联网应用设计。该芯片集成了
2025-02-15 17:00 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
产品概述BCM47623A1KFEBG是博通（Broadcom）公司推出的一款高性能GNSS（全球导航卫星系统）接收器芯片，专为移动设备和物联网应用设计。该芯片具备高灵
2025-02-18 23:53 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品简介：VBsemi的MOSFET产品14NM50N-VB是一款单N沟道MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有500V的漏极-源极电压（VDS）和14A的漏极电流（ID
2024-07-06 15:53 微碧半导体VBsemi 企业号
法国LEUKOS公司超紧凑型微芯片激光器超紧凑型微芯片激光器基于固态、二极管泵浦和被动Q开关激光器。凭Leukos的独有专利设计，激光器可以产生1064 nm或532
2024-07-17 11:33 上海屹持光电技术有限公司 企业号
1550nm半导体光放大器SOA芯片见合八方1550nm波长的半导体光放大器（SOA）芯片是一款高增益、高功率、低偏振损耗、高消光比的全工艺国产化的
2022-05-23 21:44 天津见合八方光电科技有限公司 企业号
### 产品简介VBsemi的14NM65N-VB是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，具有700V的漏极-源极电压（VDS）和30V的栅极-源极电压（VGS）。该器件的漏极
2024-07-06 15:54 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介14NM65N-VB TO220F 是一款单通道 N 型 MOSFET，采用平面（Plannar）技术。具有高耐压特性和适中的导通电阻，适用于中等功率应用中的功率控制和开关电路
2024-07-06 15:55 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：14NM50N-VB是一款单N沟道MOSFET，具有550V的漏极-源极电压（VDS）、30V的栅极-源极电压（VGS，±V）、3V的阈值电压（Vth）、260mΩ@VGS=10V
2024-07-06 15:51 微碧半导体VBsemi 企业号
--- 产品详情 ---深圳市港禾科技有限公司所上传的产品图片均为实物拍摄。74LVC14AS14-13 由于电子元器件价格因市场浮动，网站展示价格仅为参考价，不能作为最后
2022-07-14 14:41 深圳市港禾科技有限公司 企业号
