IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种功率半导体器件，结合了绝缘栅场效应晶体管（MOSFET）和双极型晶体管（BJT）的特点。IG
2024-01-22 11:14
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即绝缘栅双极型晶体管，是一种复合全控型电压驱动式
2024-08-08 09:46
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是绝缘栅双极晶体管的简称，其由双极结型晶体管(BJT)和金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)组成，是一种复合全控
2023-09-22 16:54
绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一种复合全控型电压驱动式功率半导体
2023-04-15 14:23
半导体场效应晶体管（MOSFET） 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 门极可关断晶闸管（GTO） 静电感应晶体管（SITH） 静电感应晶闸管（SITHT） MOS控制晶闸管（MCT） 集成门极换向晶闸管（IGCT） 碳化硅MOSFET（SiC MOSFET） 二、全控
2024-08-14 16:00
全桥型IGBT脉冲激光电源 摘要：文章介绍高压氙灯设计的IGBT脉冲式激光电源，详细阐述了工作原理、设计方法和仿真过程，并给出实验波形。其主电路
2009-07-27 08:41
本文研究了逆变器核心开关器件IGBT主要参数的选择， 分析三相逆变电路拓扑及功率器件IGBT的应用特点，根据其特点选择合
2019-07-17 08:45
IGBT等功率电子器件在工作中，由于自身的功率损耗，将引起IGBT温度升高。引起功率器件发热的原因主要有两个，一是功率器件
2024-07-19 11:21
英飞凌RC-D功率开关器件系列在单一芯片上融合了市场领先的英飞凌专有技术TrenchSTOP™ IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和续流二极管，具有很低的
2011-05-31 09:00
电压驱动式功率半导体器件，它将BJT（双极型三极管）和MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）的优点集于一身，具有输入阻抗高、驱动功率小、开关速度快、工作频率高、损耗小以及承受电流和电压能力高等优点。 二、三相
2024-09-30 15:33
