650 V CoolSiC™混合分立器件，该器件包含一个50A TRENCHSTOP™ 快速开关 IGBT 和一个 CoolSiC 肖特基二极管，能够提升性价比并带来高
2021-03-29 11:00
IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控
2021-09-09 07:16
本篇博客是全桥MOS/IGBT电路搭建的介绍，想了解全桥电路的驱动部分请看博主的单元一：全桥驱动电路详解。感兴趣的可以添加博主逆变电路（Inverter Circuit
2021-11-16 06:14
场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，
2021-11-16 07:16
大功率开关电源常用元器件知识之 IGBT和IPM及其应用电路资料来自网络资源分享
2021-06-01 18:37
)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但
2012-07-09 11:53
)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但
2012-07-09 10:01
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合
2021-09-09 08:29
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体
2012-07-25 09:49
IGBT(绝缘栅双极晶体管)是新一代全控型电力电子器件，具有M08场效应晶体管的电压控制、开关频率高、驱动功率小的优点，
2016-06-21 18:25
