随着基于铌酸锂 LN 的光源, 光调制, 光探测等重要器件的实现, 铌酸锂 LN 光子集成芯片有望像硅基集成电路一样, 成为高速率, 高容量, 低能耗光学信息处理的重要平台, LiNbO3 薄膜刻蚀
2024-09-13 10:59 伯东企业（上海）有限公司 企业号
车联网通信技术和人工智能决策平台是自动驾驶技术的核心技术。传感器，CAN通信，infotainment这些系统都需要实时和持续的
2023-05-26 10:14 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
刻蚀是半导体制造中最常用的工艺之一, 上海伯东日本 Atonarp Aston 质谱仪适用于等离子体刻蚀过程及终点监测 (干法刻蚀终点检测), 通过持续监控腔室工艺化学气体, 确保半导体晶圆生产
2024-10-18 13:33 伯东企业（上海）有限公司 企业号
铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料，这种特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性，芯片能在常温、没有电场的情况下，数据保持
2023-06-08 09:52 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
众所周知，铁电存储器（FRAM）是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器。本文所提到的国产铁电存储器PB85RS2MC在数据保持上，不仅不
2023-09-27 10:00 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
使用，需要增添片外存储器。因此铁电存储器（FRAM）是便携式医疗设备的理想解决方案。1、高写入耐久度PB85RS2MC是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存
2023-10-16 10:13 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
上海伯东美国 KRi 大尺寸考夫曼离子源 KDC 160 适用于 2-4英寸的硅片刻蚀和清洁应用, KRi KDC 160 是直流栅网离子源, 高输出离子束电流超过 1000mA. 高功率光束无需
2024-09-13 10:10 伯东企业（上海）有限公司 企业号
就需要一块非易失性存储芯片来储存这些数据。非易失性存储器一般包括EPROM、EEPROM和FLASH等，它们在系统掉电的情况下仍可保留所存数据，但因其技术都源于R
2023-07-25 10:31 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
随着技术的进步和磁存储器的发展，其应用领域在进一步扩大。例如，磁存储器（MRAM）作为一种新型的磁存储器，具有高速、低功耗和非易失性等优点，被认为是未来
2024-04-11 10:00 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
