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  • 光刻胶的原理和正负光刻胶的主要组分是什么

    光刻胶的组成:树脂(resin/polymer),光刻胶中不同材料的粘合剂,给与光刻胶的机械与化学性质(如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等);感光剂,感光剂对光能发生光化学反应;溶剂(Solvent

    2022-10-21 16:40

  • 关于光刻胶的关键参数介绍

    与正光刻胶相比,电子束负光刻胶会形成相反的图案。基于聚合物的负型光刻胶会在聚合物链之间产生键或交联。未曝光的光刻胶在显影过程中溶解,而曝光的

    2024-03-20 11:36

  • 光刻胶的使用过程与原理

    本文介绍了光刻胶的使用过程与原理。

    2024-10-31 15:59

  • 速度影响光刻胶的哪些性质?

    光刻中比较重要的一步,而旋涂速度是匀中至关重要的参数,那么我们在匀时,是如何确定匀速度呢?它影响

    2023-12-15 09:35

  • 如何在芯片中减少光刻胶的使用量

    光刻胶不能太厚或太薄,需要按制程需求来定。比如对于需要长时间蚀刻以形成深孔的应用场景,较厚的光刻胶层能提供更长的耐蚀刻时间。

    2024-03-04 10:49

  • 详解光刻胶技术并阐述光刻胶产业现状和国内发展趋势

    光刻胶是电子领域微细图形加工关键材料之一,是由感光树脂、增感剂和溶剂等主要成分组成的对光敏感的混合液体。在紫外光、深紫外光、电子束、离子束等光照或辐射下,其溶解度发生变化,经适当溶剂处理,溶可溶性部分,最终得到所需图像。

    2019-02-19 09:17

  • SU-8光刻胶起源、曝光、特性

    在紫外光照射下,三芳基碘盐光敏剂被激活,释放活性碘离子。这些活性碘离子与SU-8光刻胶中的丙烯酸酯单体反应,引发单体之间的交联反应,导致SU-8光刻胶在曝光区域形成凝胶化的图案。

    2024-03-31 16:25

  • 一文读懂半导体工艺制程的光刻胶

    光刻胶按照种类可以分为正性的、负性的。正受到紫外光照射的部分在显影时被去除,负受到紫外光曝光的地方在显影后被留下。

    2024-04-24 11:37

  • 光刻胶旋转涂胶的原因

    光刻胶是一种有机化合物,它受紫外线曝光后在显影液中的溶解度发生显著变化,而未曝光的部分在显影液中几乎不溶解。

    2024-04-30 12:45

  • 一种半导体制造用光刻胶去除方法

    本发明涉及一种去除光刻胶的方法,更详细地说,是一种半导体制造用光刻胶去除方法,该方法适合于在半导体装置的制造过程中进行吹扫以去除光刻胶。在半导体装置的制造工艺中,将残留在晶片上的

    2022-04-13 13:56