，所以光刻机就选择了改变光源，用13.5nm波长的EUV取代193nm的DUV光源，这样也能大幅提升
2020-07-07 14:22
的要求则反过来，我们要确保影像要绝对清晰，就要将对焦点落在光阻上，并且确保光阻绝对不可落到景深范围之外。那ASML的光刻机景深有多大呢？ 所以我们就是要把光阻移到这个100nm的范围之内，是不是有点
2020-09-02 17:38
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻机作为集成电路制造中最关键的设备，对芯片制作工艺有着决定性的影响，被誉为“超精密制造技术皇冠上的明珠”，根据之前中芯国际的公报，目...
2021-07-29 09:36
如果国家以两弹一星的精神投入光刻机的研发制造，结果会怎样？
2020-06-10 19:23
电子直写光刻机驻极体圆筒聚焦电极 随着科技进步，对电子显微镜的精度要求越来越高。电子直写光刻机的精度与电子波长和电子束聚焦后的焦点直径有关，电子波长可通过增加加速电极电压来减小波长，而电子束聚焦后
2025-05-07 06:03
光源，可使曝光波长降到13.5nm，这不仅使光刻技术得以扩展到32nm工艺以下，更主要的是，它使纳米级时代的半导体制造流程更加简化，生产周期得以缩短。赛迪智库半导体研究
2017-11-14 16:24
%，Lam Research为10亿美元，占台积电采购额的9%，迪恩士占5%，KLA占4%。ASML目前，全球仅有ASML一家公司掌握着EUV光刻机的核心技术，这也是5nm制程必需的设备，但EUV
2020-03-09 10:13
是分步投影光刻机.利用分步投影光刻机,再结合移相掩膜等技术,已经得到了最小线宽0.10微米的图形。 ◆接近式暴光与接触式暴光相似,只是在暴光时硅片和掩膜版之间保留有很小的间隙,这个间隙一般在10~25
2012-01-12 10:56
300~500nmKrF：波长248.8nmArF：波长193nm衍射效应对光刻图案的影响左图是理想的光强分布，由于光的衍射效应，实际的光强分布如右图所示。当光的波长与mask的特征尺寸可比时，会产生明显的衍射效应。如上图所示，透过mask的光相互叠加，使得不该受
2014-09-26 10:35
，荷兰阿斯麦公司(ASML)横扫天下，谁先买到阿斯麦的光刻机，谁就能率先具备7nm工艺。国内单片机芯片：封测芯片做好后，得从晶圆上切下来，接上导线，装上外壳，顺便还得测试，这就叫封测。国内大陆的三大封
2018-09-03 16:48
