学着写自己的 Lcd_ShowChar() ，不想更改背景色（叠加模式）。看了一天的ili9320手册，还是没看明白。 原子弹程序是直接画点的，这样效率低点，我想直接更改GRAM。 目前我填充模式
2019-04-02 01:38
电机的热继电器的电流设置是电机额电功率的多少倍啊？
2023-12-19 08:18
求助！ 这是个LM358运放的电压串联负反馈两级放大电路，请问这个放大电路的放大倍数是多少倍？每级放大多少？怎么计算？？谢谢
2023-03-17 10:39
OPA847做前级放大，不管放大倍数改为多少倍，用扫频仪检测，信号都是到130多兆就开始衰减，这是为什么？能否将它通频带做到200多兆，该怎么做？
2024-09-03 07:51
翁寿松(无锡市罗特电子有限公司，江苏无锡214001)1 32 nm/22 nm工艺进展2006年1月英特尔推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特尔将投资90亿美元在以下4座45 nm、300 mm晶圆厂量产45 nm MPU：(1)美国俄勒冈州Fab PID厂，2007年下半年量产；(2)美国亚利桑那州Fab 32厂，投资30亿美元，2007年末量产；(3)以色列Fab 28厂，投资35亿美元，2008年上半年量产；(4)美国新墨西哥州RioRancho Fab 11X厂，投资10～15亿美元，从90 nm过渡至45 nm，它是英特尔产首座300 mm晶圆厂，也是英特尔首座全自动化300 mm晶圆高量产厂。45 nm芯片的即将量产意味着32 nm/22 nm工艺将提到议事日程上，英特尔将于2009年推出32nmMPU，2011年推出22 nm MPU。IBM与特许将在IBM纽约州East Fishkill 300 mm晶圆厂内联合开发32 nm bulk CMOS工艺。2007年2月美光推出25 nm NAND闪存，3年后量产25 nm闪存。目前32 nm/22 nm工艺尚处于研发阶段。
2019-07-01 07:22
10KV高压电机串电抗起动，起动电流是额定电流的多少倍啊？ 速断应该怎么设定啊？ 是没人看到还是其他什么情况？
2023-12-12 07:45
spi进行修改，但是相应的，数据输出时钟就应该变为采样时钟的4倍，如何设置输出时钟是采样时钟的多少倍，芯片手册里没有写，我想问一下输出时钟DCO的频率怎么改？或者说是不是输出时钟的频率是和输出数据的位数
2018-09-11 10:04
图中video（后面datasheet中有讲解）是C12666MA采集的一个信号，经过ADA4851放大后从OUT2输出到AD转换器。但是我不是很了解，这个信号到底要放大多少倍传进AD里才能正常工作，就是这样设计理由是为什么，图中R6是采样电阻吗？取值需要怎么取？
2020-02-19 10:53
太阳能电池薄膜激光刻蚀机配了台特域冷水机，用的是什么制冷机？
2017-11-25 14:30
光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过曝光后，受到光照的
2019-11-07 09:00
