据羊城晚报报道，近日中芯国际从荷兰进口的一台大型光刻机，顺利通过深圳出口加工区场站两道闸口进入厂区，中芯国际发表公告称该光刻机并非此前盛传的EUV光刻机，主要用于企业复工复产后的生产线扩容。我们知道
2021-07-29 09:36
和荷兰学习交流，学他的技术，当然要付出代价，比如财富和他想要的东西，真诚相待，会成功的，还可以引进的的人才和技术，在和他学艺，联姻，总之就是把技术学到手。
2022-11-20 08:48
关于单片机中你不知道的秘密单片机还有能有什么秘密呢？基础知识了解上电过程学习总结与深化单片机还有能有什么
2022-01-20 07:31
` MOS管的快速关断原理 R4是Q1的导通电阻没有Q1就没有安装的必要了，当低电位来时Q1为泻放扩流管。 功率MOS管怎样关断？能否用PWM实现,怎样实现？ 功率mosfet的三个端口，G极，D极，S极。G极控制mosfet的开通，关断，给GS极之间加正向电压（高电平）[url=13/]，达到导通电压门槛值之后就能导通。同理，[url=15/]给一个低电压（低电平）mosfet就能关断。既然是高低电平当然能用PWM实现，不过在具体应用中，应考虑PWM输出高低电平电压范围，PWM电压的输出驱动能力等。驱动能力太小，即使电压很高，依然无法驱动开通MOS管。这时候需要在PWM电路之后接PWM驱动电路，再来控制功率mosfet。这个PWM应该是具有负脉冲，可以快速关断MOS管。 MOS管的加速关断原理第一还有就是.R4的作用.也搞不懂.没。 看来楼不太清楚三极管的原理了，没有R4怎么满足Q1集电极反偏的要求（不管是PNP还是NPN三极管，其工作时必须满足集电结反偏，发射结正偏）.D1前施加一个负脉冲Q1就导通了，[url=31/]就可以把基极的电流抽走，加速MOS管的关断了啊。D1的作用是单向导通[url=32/]，不要把基极电流分往脉冲放大电路，让电流去接地。你明白了吗？ 它能起到加速MOS管关断的作用,谢谢 驱动电阻主要是让MOS管导通稍微变慢，以免过驱动，这样的好处是解决电磁兼容中的辐射问题，并联一个电阻是加速截止，降低MOS管的关断损耗。 MOS管的快速关断原理 R4是Q1的导通电阻没有Q1就没有安装的必要了，当低电位来时Q1为泻放扩流管简要分析了UC3637双PWM控制器和IR2110的特点，工作原理。由UC3637和IR2110共同构建一种高压大功率小信号放大电路，并通过。 MOS管D1的作用加快矩形波上升沿速度？这里还是不懂.这个。 这个电路是用来提高MOSFET关断速度的，本来用逻辑门直接驱动也很快，但是有可能逻辑门的最大输出电流不够大，因此可以利用那个PMOS快速关断。在功率MOSFET电路中，快速关断在安全性上要比能够快速打开重要。 求问MOS管关断延迟大怎么调？ 搞搞前级，搞搞后级。就可以了。。。断掉前级，测试MOS输入电平。是低就上拉，高就下拉。总之跟他对着干。然后把前级加上去。试试看。调栅极的电阻啊或许可以的。 如何加快MOS管关断 可以在栅极加个跟随器来驱动栅极，可以缩短开关时间，在栅极加个电阻或电容到地对场管开关的过程进行放电，以上都是提高开关速度的方法！！电路太小，不完整。 mos管做开关电路,5V接G,S极,则D,S极导通,但是断开5。 要有栅极泄防回路管子才能快速顺利地截止。由于栅极和衬底之间有一层薄薄的二氧化硅绝缘层，所以栅极和衬底之间相当于存在一个电容。当G加上电压后就会给这个电容充电，当G上的电压撤掉后若G悬空电容的电荷是不能马上放掉的，实际上G极的电压仍然存在一段时间，所以不会马上截止。实际使用时当要求管子截止时必须要在GS之间建立泄放回路（比如直接短路或通过电阻放电）才可以。 一个三极管和P-MOSFET构成的开关电路,打开正常,关断。 等效电容相对于开关电路来说是可以忽略的（除非频率特别高），MOS管属压控原件，对于一般开关电路开关速度应该差不多。 `
2019-01-08 13:51
一、光刻胶的选择光刻胶包括两种基本的类型：正性光刻和负性光刻，区别如下
2021-01-12 10:17
的。 稳压管和TVS管的应用 (1)浪涌保护电路：稳压管在准确的电压下击穿，这就使得它可作为限制或保护元件电压来使用，因为各种电压的稳压二极管都可以得到，故对于这种应用特别适宜。 (2)电视机里的过压保护
2018-12-06 11:58
有人知道 为什么光刻完事 剥离那么容易脱落呢 怎么避免呢
2012-06-26 12:40
半导体光刻蚀工艺
2021-02-05 09:41
【拆解】FBI秘密跟踪器
2020-04-23 10:59
（1)直接驱动 电阻R1的作用是限流和抑制寄生振荡，一般为10ohm到100ohm,R2是为关断时提供放电回路的;稳压二极管D1和D2是保护MOS管的门]极和源极;二极管D3是加速MOS的关断。 （2)互补三极管驱动 当MOS管的功率很大时，而PWM芯片输出的PWM信号不足已驱动MOS管时，加互补三极管来提供较大的驱动电流来驱动MOS管。PWM为高电平时，三极管Q3导通,驱动MOS管导通;PWM为低电平时，三极管Q2导通，加速MOS管的关断; 电阻R1和R3的作用是限流和抑制寄生振荡，一般为10ohm到100ohm,R2是为关断时提供放电回路的;二极管D1是加速MOS的关断。 （3)耦台驱动(利用驱动变压器耦合驱动) 当驱动信号和功率MOS管不共地或者MOS管的源极浮地的时候，比如Buck变换器或者双管正激变换器中的MOS管，利用变压器进行耦合驱动如右图: 驱动变压器的作用: 1.解决驱动MOS管浮地的问题; 2.解决PWM信号与MOS管不共地的问题;3.-个驱动信号可以分成两个驱动信号;4.减少干扰。
2018-12-24 14:39
