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  • 193 nm ArF浸没式光刻技术和EUV光刻技术

    翁寿松(无锡市罗特电子有限公司,江苏无锡214001)1 32 nm/22 nm工艺进展2006年1月英特尔推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特尔将投资90亿美元在以下4座45 nm、300 mm晶圆厂量产45 nm MPU:(1)美国俄勒冈州Fab PID厂,2007年下半年量产;(2)美国亚利桑那州Fab 32厂,投资30亿美元,2007年末量产;(3)以色列Fab 28厂,投资35亿美元,2008年上半年量产;(4)美国新墨西哥州RioRancho Fab 11X厂,投资10~15亿美元,从90 nm过渡至45 nm,它是英特尔产首座300 mm晶圆厂,也是英特尔首座全自动化300 mm晶圆高量产厂。45 nm芯片的即将量产意味着32 nm/22 nm工艺将提到议事日程上,英特尔将于2009年推出32nmMPU,2011年推出22 nm MPU。IBM与特许将在IBM纽约州East Fishkill 300 mm晶圆厂内联合开发32 nm bulk CMOS工艺。2007年2月美光推出25 nm NAND闪存,3年后量产25 nm闪存。目前32 nm/22 nm工艺尚处于研发阶段。

    2019-07-01 07:22

  • 请问纹波取决于ADC时钟的外部DSM ADC基准吗?

    您好,我尝试使用外部参考电压(1.25V)在我的设计中。问题是,我有一个纹波(+-50MV),这取决于转换率/ ADC时钟。我在P0(3)上选择了“外部VREF”,我必须做更多吗?看来这个GPIO

    2019-10-10 06:12