光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过曝光后，受到光照的
2019-11-07 09:00
翁寿松(无锡市罗特电子有限公司，江苏无锡214001)1 32 nm/22 nm工艺进展2006年1月英特尔推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特尔将投资90亿美元在以下4座45 nm、300 mm晶圆厂量产45 nm MPU：(1)美国俄勒冈州Fab PID厂，2007年下半年量产；(2)美国亚利桑那州Fab 32厂，投资30亿美元，2007年末量产；(3)以色列Fab 28厂，投资35亿美元，2008年上半年量产；(4)美国新墨西哥州RioRancho Fab 11X厂，投资10～15亿美元，从90 nm过渡至45 nm，它是英特尔产首座300 mm晶圆厂，也是英特尔首座全自动化300 mm晶圆高量产厂。45 nm芯片的即将量产意味着32 nm/22 nm工艺将提到议事日程上，英特尔将于2009年推出32nmMPU，2011年推出22 nm MPU。IBM与特许将在IBM纽约州East Fishkill 300 mm晶圆厂内联合开发32 nm bulk CMOS工艺。2007年2月美光推出25 nm NAND闪存，3年后量产25 nm闪存。目前32 nm/22 nm工艺尚处于研发阶段。
2019-07-01 07:22
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2021-11-01 07:10
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2017-11-25 14:30
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2021-02-22 07:55
本人某985电子学院研一学生，我们导师在我刚来的时候就把一个课题给我去做，前期的材料与薄膜学长学姐们已经完成了，让我解决后期的光刻与器件制备等问题。本来我觉得是一个很好的锻炼自己的机会，就直接答应了
2018-02-27 15:47
