。尤其是响应速度，现在能做到在几个到几十个周期内完成锁定。这个AGC电路还可以调整相应的电阻电容以适应不同的频率段。不过这个电路需要方波时钟才能达到上述要求，不然会降低精度和响应速度，但这也限制了该电路的用途。 我现在想请教大家该电路还能用于那些应用场景，有没有申请专利的价值？ 谢谢
2024-03-14 14:54
AS3910 HF RFID读卡器IC的电源电压为3.3V时，输出功率达1W，是同类产品的4倍。AS3910还整合了正在申请专利的天线自动调谐功能，适合于各种极富挑战性的环境。
2019-07-31 07:04
翁寿松(无锡市罗特电子有限公司，江苏无锡214001)1 32 nm/22 nm工艺进展2006年1月英特尔推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特尔将投资90亿美元在以下4座45 nm、300 mm晶圆厂量产45 nm MPU：(1)美国俄勒冈州Fab PID厂，2007年下半年量产；(2)美国亚利桑那州Fab 32厂，投资30亿美元，2007年末量产；(3)以色列Fab 28厂，投资35亿美元，2008年上半年量产；(4)美国新墨西哥州RioRancho Fab 11X厂，投资10～15亿美元，从90 nm过渡至45 nm，它是英特尔产首座300 mm晶圆厂，也是英特尔首座全自动化300 mm晶圆高量产厂。45 nm芯片的即将量产意味着32 nm/22 nm工艺将提到议事日程上，英特尔将于2009年推出32nmMPU，2011年推出22 nm MPU。IBM与特许将在IBM纽约州East Fishkill 300 mm晶圆厂内联合开发32 nm bulk CMOS工艺。2007年2月美光推出25 nm NAND闪存，3年后量产25 nm闪存。目前32 nm/22 nm工艺尚处于研发阶段。
2019-07-01 07:22
合作伙伴签订《专利技术合作协议》。 三、申请流程 有意合作的请邮件至公司邮箱kfskck@163.com。 需提供的信息包括：合作方公司名称、联系人及联系方式、仪表相关专利技术介绍。 我们将会
2017-12-01 15:27
一个公司把下图的技术申请了实用新型专利， 我们公司觉得完全是现有技术，因此想无效该专利，上市销售我们自己的产品，请问这个下面的电路图应该如何分析 ，谢谢 。 也就是运算
2018-08-15 17:58
太阳能电池薄膜激光刻蚀机配了台特域冷水机，用的是什么制冷机？
2017-11-25 14:30
开关速度是个涉及多个事件的复杂参数，每个事件都有自己的持续时间。借助已申请专利的pHEMT技术，M/A-COM Technology Solutions公司(下文简称为M/A-COM)已经找到了一种
2019-08-20 07:17
光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过曝光后，受到光照的
2019-11-07 09:00
一个公司把下图的技术申请了实用新型专利， 我们公司觉得完全是现有技术，因此想无效该专利，上市销售我们自己的产品，请问这个下面的电路图应该如何分析 ，谢谢 。 也就是运算
2017-09-28 10:16
引言：新型恩智浦ARM Cortex-M3微控制器首次采用的SPI闪存接口技术(SPIFI，已申请专利)可以帮助32位嵌入式系统设计人员以小尺寸、低成本的串行闪存替代大尺寸、高成本的并行闪存。利用
2019-05-16 10:45
