。扩散过程之前，必须先生长一层厚的氧化层作为扩散遮蔽层，然后再通过图形化及刻蚀定义岀需要扩散的区域。离子注入是一个室温过程,厚的光刻胶层就可以阻挡高能量掺杂物离子。离子注入
2023-05-08 11:19
离子注入是将高能离子注入半导体衬底的晶格中来改变衬底材料的电学性能的掺杂工艺。通过注入能量、角度和剂量即可控制掺杂浓度和深度，相较于传统的扩散工艺更为精确。
2024-02-21 10:23
掺杂物的种类、结深与掺杂物浓度是离子注入工艺的最重要因素。掺杂物种类可以通过离子注入机的质谱仪决定，掺杂物浓度由离子束电流与注入
2023-07-07 09:51
本文以光刻机为中心，主要介绍了光刻机的分类、光刻机的结构组成、光刻机的性能指标、光刻机的工艺流程及工作原理。
2017-12-19 13:33
想要使半导体导电，必须向纯净半导体中引入杂质，而离子注入是一种常用的方法，下面来具体介绍离子注入的概念。
2023-12-11 18:20
离子注入是SiC器件制造的重要工艺之一。通过离子注入，可以实现对n型区域和p型区域导电性控制。本文简要介绍离子注入工艺及其注意事项。
2024-11-09 11:09
作为光刻工艺中最重要设备之一，光刻机一次次革命性的突破，使大模集成电路制造技术飞速向前发展。了解提高光刻机性能的关键技术以及了解下一代
2020-08-28 14:39
本文简单介绍了芯片离子注入后退火会引入的工艺问题：射程末端（EOR）缺陷、硼离子注入退火问题和磷离子注入退火问题。
2025-04-23 10:54
光刻机是芯片制造最为重要的设备之一。目前，ASML垄断了全世界的高端光刻机。中国一直以来都想掌握光刻机技术，但是上海微电子经过17年的努力，才造出90nm的
2020-01-29 11:07
光刻机是芯片制造中光刻环节的核心设备， 技术含量、价值含量极高。 光刻机涉及系统集成、精密光学、精密运动、精密物料传输、高精度微环境控制等多项先进技术，是所有半导体制造设备中技术含量最高的设备，因此也具备极高的单台价
2018-04-10 10:19
