的电磁兼容（EMC）设计经验和要求，限制了设计的创新，各个基站设备制造厂商在研发过程中从原型机到最终定型机往往需要大量的调试，验证和整改，这导致各个产品之间的一致性比较差。本文首先简要介绍移动通信基站
2019-05-30 06:16
客户的需求。另外，传感器生产厂商还要确保产品质量及供应质量。为满足全球医疗器械制造厂商的需求，传感器生产厂商必须考虑以下四个关键问题：小型化、材料规范标准、供应商质量保证、服务与支持。
2020-04-20 07:15
客户的需求。另外，传感器生产厂商还要确保产品质量及供应质量。为满足全球医疗器械制造厂商的需求，传感器生产厂商必须考虑以下四个关键问题：小型化、材料规范标准、供应商质量保证、服务与支持。
2020-04-20 06:24
Actel公司宣布通过了ISO/TS 16949:2002认证，为那些需要在系统关键汽车电子应用中嵌入现场可编程门阵列 (FPGA) 的汽车制造厂商提供所需的实力证明。新通过的认证结合
2019-07-22 07:48
制造厂商透过在产品贴上CE标志的方式，标明此项产品完全符合欧盟指令的相关规定。如果规定允许，CE标志也可标示在包装或随附文件上。CE标志幷非测试标志，只是标明此制造厂商宣示其产品符合所有相关的法规
2015-10-30 14:22
光刻掩膜设计与加工制造服务，请问可以加工二元光学器件吗？相位型光栅那种.
2024-04-22 06:24
1、因为每一种晶振都有各自的特性，所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。2、在许可范围内，C1,C2值越低越好。C值偏大虽有利于振荡器的稳定，但将会增加起振时间。
2019-07-01 07:40
XX nm制造工艺是什么概念？为什么说7nm是物理极限？
2021-10-20 07:15
在当今竞争日益激烈的全球市场中，高效的工业生产能力通常取决于每间工厂自动化系统的速度、精度和可靠度。即使是在一些低劳动力成本的地区，制造厂商们也渴望提高其自动化系统的精密度，因为他们知道，如果不这么做就会危及其在全球经济中的位置。
2020-04-22 06:33
翁寿松(无锡市罗特电子有限公司，江苏无锡214001)1 32 nm/22 nm工艺进展2006年1月英特尔推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特尔将投资90亿美元在以下4座45 nm、300 mm晶圆厂量产45 nm MPU：(1)美国俄勒冈州Fab PID厂，2007年下半年量产；(2)美国亚利桑那州Fab 32厂，投资30亿美元，2007年末量产；(3)以色列Fab 28厂，投资35亿美元，2008年上半年量产；(4)美国新墨西哥州RioRancho Fab 11X厂，投资10～15亿美元，从90 nm过渡至45 nm，它是英特尔产首座300 mm晶圆厂，也是英特尔首座全自动化300 mm晶圆高量产厂。45 nm芯片的即将量产意味着32 nm/22 nm工艺将提到议事日程上，英特尔将于2009年推出32nmMPU，2011年推出22 nm MPU。IBM与特许将在IBM纽约州East Fishkill 300 mm晶圆厂内联合开发32 nm bulk CMOS工艺。2007年2月美光推出25 nm NAND闪存，3年后量产25 nm闪存。目前32 nm/22 nm工艺尚处于研发阶段。
2019-07-01 07:22
