，光源是ArF（氟化氩）准分子激光器，从45nm到10/7nm工艺都可以使用这种光刻机，但是到了7nm这个节点已经的DUV光刻的极限，所以Intel、三星和台积电都会在7nm这个节点引入极紫外光（EUV
2020-07-07 14:22
！光刻机本身的原理，其实和相机非常相似，同学们可以把光刻机就想成是一台巨大的单反相机。相机的原理，是被摄物体被光线照射所反射的光线，透过相机的镜头，将影像投射并聚焦在相机的底片（感光元件）上，如此便可
2020-09-02 17:38
据羊城晚报报道，近日中芯国际从荷兰进口的一台大型光刻机，顺利通过深圳出口加工区场站两道闸口进入厂区，中芯国际发表公告称该光刻机并非此前盛传的EUV光刻机，主要用于企业复工复产后的生产线扩容。我们知道
2021-07-29 09:36
如果国家以两弹一星的精神投入光刻机的研发制造，结果会怎样？
2020-06-10 19:23
电子直写光刻机驻极体圆筒聚焦电极 随着科技进步，对电子显微镜的精度要求越来越高。电子直写光刻机的精度与电子波长和电子束聚焦后的焦点直径有关，电子波长可通过增加加速电极电压来减小波长，而电子束聚焦后
2025-05-07 06:03
是分步投影光刻机.利用分步投影光刻机,再结合移相掩膜等技术,已经得到了最小线宽0.10微米的图形。 ◆接近式暴光与接触式暴光相似,只是在暴光时硅片和掩膜版之间保留有很小的间隙,这个间隙一般在10~25
2012-01-12 10:56
300~500nmKrF：波长248.8nmArF：波长193nm衍射效应对光刻图案的影响左图是理想的光强分布，由于光的衍射效应，实际的光强分布如右图所示。当光的波长与mask的特征尺寸可比时，会产生明显的衍射效应。如上图所示，透过mask的光相互叠加，使得不该受
2014-09-26 10:35
的有氧化炉、沉积设备、光刻机、刻蚀设备、离子注入机、清洗机、化学研磨设备等。以上是今日Enroo关于晶圆制造工艺及半导体设备的相关分享。
2018-10-15 15:11
来。然后，用等离子体这类东西冲刷，裸露的晶圆就会被刻出很多沟槽，这套设备就叫刻蚀机。在沟槽里掺入磷元素，就得到了一堆N型半导体。完成之后，清洗干净，重新涂上感光材料，用光刻机刻图，用刻蚀
2018-09-03 16:48
和荷兰学习交流，学他的技术，当然要付出代价，比如财富和他想要的东西，真诚相待，会成功的，还可以引进的的人才和技术，在和他学艺，联姻，总之就是把技术学到手。
2022-11-20 08:48
