本文提到MEMS技术中所应有的光刻技术，帮助读者了解光刻技术的原理，应用。
2016-04-28 11:35
随着芯片集成度的不断提高、器件尺寸的不断缩小，光刻技术和光刻设备发生着显著变化。通过对目前国内外光刻设备生产厂商对下一代光刻
2011-10-31 16:38
2013-12-10 13:50
主要介绍了集成门极换流晶闸管(IGCT)的光刻技术。IGCT器件的光刻次数多，精度要求高，如何保证光刻质量是关键。根据IGCT光
2010-06-24 16:48
从第一个晶体管问世算起，半导体技术的发展已有多半个世纪了，现在它仍保持着强劲的发展态势，继续遵循 Moore 定律即芯片集成度18个月翻一番，每三年器件尺寸缩小0.7倍的速度发展。大尺寸、细线
2017-09-29 16:57
本文主要介绍集成电路加工-光刻技术与光刻胶。集成电路加工主要设备和材料：光刻设备，半导体材料：单晶硅等，掩膜，化学品：光刻
2017-09-29 16:59
2013-12-10 13:49
挑战性。制造商正在关注称为极紫 外(EUV) 光刻的先进制造技术。 EUV光刻可用于制造比以前更小规模的芯片。该技术可以导致微处理器的发展，其速度比目前最强大的芯片
2023-02-15 15:55
任何一种数字成像的核心都是图像传感器。它的基本结构包括一个能把光转换为图像的有源像素矩阵。数码相机和带相机的移动电话带动了图像传感器需求市场的快速增长，它们已
2009-12-15 14:34
使用波长３５１ｎｍ 的半导体泵浦全固态脉冲激光器作为光源，经过位相光栅分束，形成干涉光场，在硅表面直接刻蚀微结构，制作了周期为０．５５ｍ，槽深可达５５ｎｍ 的一维微光栅和周期为１．２５ｍ，刻蚀深度４５ｎｍ 的正交微光栅结构．给出了微光栅形貌结构的扫描电子显微镜和原子力显微镜的测量结果．正交微光栅的一级衍射效率在１．８％～６．３％之间．该研究是改变硅表面微结构，优化硅材料特性的一种新方法，并扩展了大功率激
2017-11-13 14:42
