传统的光刻工艺是相对目前已经或尚未应用于集成电路产业的先进光刻工艺而言的，普遍认为 193nm 波长的 ArF 深紫外光刻工艺是分水岭（见下表）。这是因为 193nm 的光刻
2022-10-18 11:20
“ 光刻作为半导体中的关键工艺，其中包括3大步骤的工艺：涂胶、曝光、显影。三个步
2024-10-22 13:52
一、光刻胶的选择光刻胶包括两种基本的类型：正性光刻和负性光刻，区别如下
2021-01-12 10:17
设计过程中，确保 PCB 设计成功的八个步骤
2016-05-24 17:12
的基础，直接决定了这些技术的发展水平。 二、显影在光刻工艺中的位置与作用 位置：显影是光刻工艺中的一个重要步骤，在曝光之后进行。 作用：其作用是将曝光产生的潜在图形，通
2025-06-09 15:51
在万物互联，AI革命兴起的今天，半导体芯片已成为推动现代社会进步的心脏。而光刻(Lithography)技术，作为先进制造中最为精细和关键的工艺，不管是半导体芯片、MEMS器件，还是微纳光学元件都离不开光刻工艺的参与
2024-08-26 10:10
确保——PCB的设计成功的必要的八个步骤
2016-01-06 14:46
轻松高效地设置 PCB 设计约束的八个步骤
2022-05-11 16:44
轻松高效地设置 PCB 设计约束的八个步骤
2016-01-06 14:49
光照条件的设置、掩模版设计以及光刻胶工艺等因素对分辨率的影响都反映在k₁因子中，k₁因子也常被用于评估光刻工艺的难度，ASML认为其物理极限在0.25，k₁体现了各家晶圆厂运用
2023-12-18 10:53
