一、光刻胶的选择光刻胶包括两种基本的类型：正性光刻和负性光刻，区别如下
2021-01-12 10:17
第二章对芯片制造过程有详细介绍，通过这张能对芯片制造过程有个全面的了解 首先分为前道工序和后道工序 前道工序也称扩散
2024-12-16 23:35
，三合一工艺平台，CMOS图像传感器工艺平台，微电机系统工艺平台。 光掩模版:基板，不透光材料 光刻胶:感光树脂，增感剂，溶剂。 正
2025-03-27 16:38
。 光刻工艺、刻蚀工艺 在芯片制造过程中，光刻工艺和刻蚀
2025-04-02 15:59
。 光刻则是在晶圆上“印刷”电路图案的关键环节，类似于在晶圆表面绘制半导体制造所需的详细平面图。光刻的精细度直接影响到成
2024-12-30 18:15
，该分布范围越窄，光刻胶的性能越好。 ③ 抗刻蚀性能。光刻胶在集成电路制造工艺中的抗刻蚀性能主要有两个 [6]：一是耐化
2018-08-23 11:56
关于光刻工艺的原理，大家可以想象一下胶片照片的冲洗，掩膜版就相当于胶片，而光刻机就是冲洗台，它把掩膜版上的芯片电路一个个的复制到光刻胶薄膜上，然后通过刻蚀技术把电路
2020-07-07 14:22
`书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN 纳米线制造和单光子发射器器件应用的蚀刻工艺编号：JFSJ-21-045作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:11
湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高，因为所用化学药品可以非常精确地适应各个薄膜。对于大多数解决方案，选择性大于100：1。
2021-01-08 10:12
总是多次反复进行。例如，大规模集成电路要经过约10次光刻才能完成各层图形的全部传递。 在狭义上，光刻工艺仅指光复印工艺。曝光方式 常用的曝光方式分类如下： 接触式
2012-01-12 10:51
