,适用于高功率电子设备和电源管理应用。### 4854NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**:TO252- **配置**:单N沟道- **漏源电压
2024-11-12 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、4865NG-VB 产品简介4865NG-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装。它设计用于高功率电子设备中,具有优异的功率开关特性和低导通电阻
2024-11-12 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、4905NG-VB 产品简介4905NG-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装。它专为需要高功率处理和低导通电阻的应用而设计。通过沟槽(Trench)技术制造
2024-11-12 13:51 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5805NG-VB 产品简介5805NG-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,具有低导通电阻和高电流承受能力。其设计适合于需要高效能和稳定性能的应用场
2024-11-14 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号
说明- **型号**: 5803NG-VB- **封装**: TO252- **配置**: 单 N 沟道- **最大漏源电压 (VDS)**: 40V- **最大栅源电压
2024-11-14 14:19 微碧半导体VBsemi 企业号
,适合于中高功率应用场合。### 5407NG-VB 详细参数说明- **封装形式**: TO252- **配置**: 单 N 沟道- **漏极-源极电压 (VDS
2024-11-14 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号