### 产品简介12N50L-TF1-T-VB 是一款单通道 N 型 MOSFET，采用平面（Plannar）技术。它具有高耐压特性和适中的导通电阻，适用于中等功率应用中的功率控制和开关电路
2024-07-05 16:48 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、8N50L-TF2-T-VB 产品简介8N50L-TF2-T-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装。它具有高电压承受能力和稳定的性能特征，在功率转换和电源管理
2024-11-22 16:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、8N50L-TF1-T-VB 产品简介8N50L-TF1-T-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，封装为TO220F，具有高达650V的耐压能力和良好的电流处理能力
2024-11-22 16:09 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**16N50L-TF3-T-VB**是一款由VBsemi生产的单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该产品采用TO220F封装，适用于中压高功率
2024-07-08 14:26 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介详**VBsemi 2N50L-TF3-T-VB TO220F** 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用平面技术制造。该器件具有高漏极电压和低导通电阻，适用于要求高可靠性和稳定性
2024-07-11 15:26 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介VBsemi 7N50L-TF1-T-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO220F封装，专为高压和高电流应用设计。该器件具有优异的耐压特性和低导通电阻，适用于需要
2024-11-20 17:14 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介8N50HL-TF3-T-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO220F封装，具有高漏源电压和适中的导通电阻，适合在高压和高功率应用中提供稳定性能。### 详细参数
2024-11-22 16:05 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介5N50L-TF3-T-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装，适用于高压应用场合。它具有高可靠性、低导通电阻和稳定的性能特点，适合于各种需要高功率开关
2024-11-14 15:28 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号：6N50L-TF3-T-VB**6N50L-TF3-T-VB 是一款单N沟道功率MOSFET，采用Plannar技术，具备高电压和中等电流承受能力，适用于各种需要稳定功率
2024-11-18 15:30 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5N50KL-TF3-T-VB TO220F MOSFET 产品简介5N50KL-TF3-T-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO220F封装。该器件适用于高压应用，具有650V的漏极
2024-11-14 15:23 微碧半导体VBsemi 企业号
