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型号：AT25512<b class='flag-s-7'>N-SH-T</b> 品牌：

AT25512N-SH-T：高效存储解决方案在当今电子产品日益复杂的环境中，可靠和高效的数据存储解决方案显得尤为重要。Microchip（美国微芯）推出的AT25512N-SH-T是一款高性能

2024-11-05 10:19 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：9<b class='flag-s-7'>T15J</b>-VB 品牌：微碧

### 9T15J-VB MOSFET 产品简介#### 产品简介9T15J-VB 是一款单N沟道功率MOSFET，适用于低电压高电流的应用场合。采用TO251封装，具备30V的漏源极电压额定值

2024-11-27 14:07 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP01<b class='flag-s-7'>N40J</b>-VB 品牌：微碧

高电压低电流的应用场合。其高导通电阻使其特别适合用于对电流要求不高但需要高电压承受能力的场合。### AP01N40J-VB 详细参数说明- **封装类型**：T

2024-12-13 11:19 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP01<b class='flag-s-7'>N60J</b>-VB 品牌：微碧

### AP01N60J-VB 产品简介**型号：** AP01N60J-VB  **封装：** TO251  **配置：** 单N沟道MOSFET  **技术

2024-12-13 11:21 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>SH8J</b>62TB-VB 品牌：微碧

VBsemi SH8J62TB-VB是一款具有卓越性能的双P沟道功率场效应管，具备以下性能参数：**技术规格:**- 额定电压：-30V- 额定电流：-7A- 导通电阻：35mΩ @ VGS=10V

2024-04-03 16:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP9<b class='flag-s-7'>T18J</b>-VB 品牌：微碧

### 1. 产品简介AP9T18J-VB 是一款单通道 N 沟道功率 MOSFET，采用槽沟技术，设计用于高性能功率管理和开关应用。具有低导通电阻和高漏极电流能力，适合在要求高功率密度和可靠性

2024-12-27 15:11 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：EMF30<b class='flag-s-7'>N02J</b>-VB 品牌：微碧

**VBsemi EMF30N02J-VB 产品详细参数说明与应用简介****参数说明:**- **型号：** EMF30N02J-VB- **丝印：** VB1240- **品牌

2024-01-03 16:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP03<b class='flag-s-7'>N70J</b>-VB 品牌：微碧

### AP03N70J-VB 产品简介AP03N70J-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO251 封装，由 VBsemi 公司生产。它具有高漏源电压

2024-12-13 13:54 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP09<b class='flag-s-7'>N20J</b>-HF-VB 品牌：微碧

### AP09N20J-HF-VB 产品简介AP09N20J-HF-VB是一款单N沟道MOSFET，封装形式为TO251，采用沟槽工艺技术。该器件适用于中高压应用，具有良好的导通性能和稳定性

2024-12-16 14:52 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：9<b class='flag-s-7'>T16J</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介**9T16J-VB**是一款低压单N沟道MOSFET，采用TO251封装。它具备低漏极-源极电压和极低的导通电阻特性，适合于低压高功率处理的应用场合。采用Trench技术制造，能够

2024-11-27 14:12 微碧半导体VBsemi 企业号