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型号：<b class='flag-s-7'>SH8J</b>62TB-VB 品牌：微碧

VBsemi SH8J62TB-VB是一款具有卓越性能的双P沟道功率场效应管，具备以下性能参数：**技术规格:**- 额定电压：-30V- 额定电流：-7A- 导通电阻：35mΩ @ VGS=10V

2024-04-03 16:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SMA6<b class='flag-s-7'>J</b> SERIES 品牌：江苏芯格诺

系列型号：SMA6J5.0A、SMA6J6.0A、SMA6J6.5A、SMA6J7.0A、SMA6J7.5A、SMA6

2022-07-26 10:23 江苏芯格诺电子科技有限公司 企业号

型号：SMB10<b class='flag-s-7'>J</b> SERIES 品牌：江苏芯格诺

封装形式：SMB10J5.0A、SMB10J6.0A、SMB10J6.5A、SMB10J7.0A、SMB10J7.5A、

2022-07-26 11:03 江苏芯格诺电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>J</b>7230A <b class='flag-s-7'>J</b>7230B <b class='flag-s-7'>J</b>7231B <b class='flag-s-7'>J</b>7232A 品牌：

OmniBER OTN Communications Analyzer The Keysight J7230A OmniBER OTN 10 Gb/s analyzer offers

2022-08-03 13:31 鸿承仪器 企业号

型号：AP01<b class='flag-s-7'>N60J</b>-VB 品牌：微碧

### AP01N60J-VB 产品简介**型号：** AP01N60J-VB  **封装：** TO251  **配置：** 单N沟道MOSFET  **技术

2024-12-13 11:21 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：9912<b class='flag-s-7'>J</b>-VB 品牌：微碧

### 9912J-VB MOSFET 产品简介9912J-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，封装为TO251。具有优秀的导通特性和低导通电阻，适用于需要高效能转换和电源管理

2024-11-26 15:20 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：9916<b class='flag-s-7'>J</b>-VB 品牌：微碧

### 9916J-VB 产品简介9916J-VB 是一款单 N 沟道场效应管（MOSFET），采用先进的沟道技术，具有低导通电阻和高漏极电流特性，适用于各种需要高效能和高功率的电子应用场

2024-11-26 15:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：EMF30<b class='flag-s-7'>N02J</b>-VB 品牌：微碧

**VBsemi EMF30N02J-VB 产品详细参数说明与应用简介****参数说明:**- **型号：** EMF30N02J-VB- **丝印：** VB1240- **品牌

2024-01-03 16:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：QPD0009<b class='flag-s-7'>J</b> 品牌：

QPD0009J产品简介Qorvo 的 QPD0009J 是采用 DFN 封装的双通道分立 GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 3.4 至 3.6 GHz。该器件是用于 Doherty

2023-05-09 12:14 立年电子科技 企业号

型号：AP03<b class='flag-s-7'>N70J</b>-VB 品牌：微碧

### AP03N70J-VB 产品简介AP03N70J-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO251 封装，由 VBsemi 公司生产。它具有高漏源电压

2024-12-13 13:54 微碧半导体VBsemi 企业号