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型号：PEAFS3-14-0<b class='flag-s-7'>R2535R0-6R</b>5-23-12-2 品牌：

   PEAFS3-14-0R2535R0-6R5-23-12-292MF 有源 低噪声放大器Quantic PMI

2024-10-14 10:57 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6R070C6</b>-VB 品牌：微碧

### 一、6R070C6-VB产品简介**6R070C6-VB**是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用了TO247封装。该器件具有高电压耐受能力和低导通电阻，适用于需要处理高电压和高电流

2024-11-18 16:41 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6R380E6</b>-VB 品牌：微碧

### 6R380E6-VB MOSFET 产品简介6R380E6-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO220F封装。它具有650V的漏源电压和20A的漏电流能力，适合中等功率应用场合。采用

2024-11-19 10:08 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：PEC-50-0<b class='flag-s-7'>R118-6R</b>5-18-120VAC-1U 品牌：

    PEC-50-0R118-6R5-18-120VAC-1U-SFF 集成微波组件  Quantic PMI

2024-10-28 15:14 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：PEC-50-0<b class='flag-s-7'>R118-6R</b>5-18-SFF-DVA 品牌：

    PEC-50-0R118-6R5-18-SFF-DVA  PMI 型号 PEC-50-0R118-6R

2024-10-17 10:27 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6R190C6</b>-VB TO263 品牌：微碧

### 6R190C6-VB MOSFET 产品简介6R190C6-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO263封装。它具有650V的漏源电压和20A的漏电流能力，适合于中等电压和电流处理能力

2024-11-18 17:17 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6R190C6</b>-VB TO247 品牌：微碧

### 一、6R190C6-VB产品简介6R190C6-VB 是一款单N沟道MOSFET，由VBsemi公司生产，采用超结多重外延（SJ_Multi-EPI）技术。这款器件设计用于高压应用，具有良好

2024-11-18 17:13 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：CPJC-<b class='flag-s-7'>6-252R</b>+ 品牌：

 Mini Circuits 的 CPJC-6-252R+ 是一款定向耦合器，频率为 2400 至 2500 MHz，耦合 6.5 dB，耦合变化 ±1 dB，方向性 13.5 至 18

2023-08-30 14:45 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6R600P6</b>-VB TO220F 品牌：微碧

### 6R600P6-VB MOSFET 产品简介6R600P6-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO220F封装。它具有650V的漏源电压和12A的漏电流能力，适合中等功率应用场合。采用

2024-11-19 11:08 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6R125C6</b>-VB TO247 品牌：微碧

### 一、6R125C6-VB产品简介6R125C6-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用VBsemi公司的超结多重外延（SJ_Multi-EPI）技术。该器件设计用于高电压和高功率应用，具备低

2024-11-18 16:57 微碧半导体VBsemi 企业号