型号 SI2324DS-T1-GE3丝印 VB1102M品牌 VBsemi详细参数说明 - 类型 N沟道MOSFET- 最大耐压 100V- 最大电流 2A- 导通电阻 246m
2023-10-27 17:18 微碧半导体VBsemi 企业号
一、传感器概述型号:MS4525DO-DS3BS001DS类型:板载气压传感器测量范围:差压7千帕二、测量原理MS4525DO-DS3BS001DS传感器通过感应周围空气压力的变化来测量气压。其内
2024-10-15 17:32 广州工控传感科技有限公司 企业号
名称 SI2308DS-T1-GE3 型号 VB1695 品牌 VBsemi 参数 - 频道类型 N沟道- 额定电压 60V- 额定电流 4A- RDS
2023-10-27 16:38 微碧半导体VBsemi 企业号
**VBsemi Si2329DS-T1-GE3-VB 产品详细参数说明与应用简介****参数说明:**- **型号:** Si2329DS-T1-GE3-VB- **丝印:** VB2290-
2024-02-03 10:36 微碧半导体VBsemi 企业号
Si2399DS-T1-GE3 参数: P沟道, -20V, -4A, RDS(ON), 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V, 12Vgs(±V); -0.81Vth(V); SOT23
2023-12-13 10:11 微碧半导体VBsemi 企业号
SI2305DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品,丝印型号为VB2290;采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V,额定电流为-4A,RDS
2023-11-30 14:21 微碧半导体VBsemi 企业号