HMC392ALC4是一款GaAs MMIC低噪声放大器，工作频率范围为3.5至8.0 GHz。该放大器采用无引脚4x4 mm SMT封装，电源电压为+5V，提供17 dB增益、1.8 dB噪声
2025-03-11 18:13
低噪声放大器的设计原理是通过最小化噪声源的贡献，从而实现尽可能低的噪声水平。在放大器的设计中，噪声通常来自于电阻、晶体管和其他元件的热
2023-07-25 09:44
HMC372LP3(E)是一款GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器，非常适合GSM和CDMA蜂窝基站前端接收机，工作频率范围为700至1000 MHz。 该放大器经过优化，在+5V单电源
2025-03-20 09:56
在用于调节电子系统中电压的众多低压差（LDO）稳压器中，有些是专门为低噪声操作而设计的。例如，MAX8887低噪声LDO的噪声电压仅为42μV。有效值在 10Hz 至 100kHz 范围内。然而
2023-01-16 11:16
HMC375LP3(E)是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器，非常适合GSM和CDMA蜂窝基站前端接收机，工作频率范围为1.7至2.2 GHz。 该LNA经过优化，在+5V单
2025-03-20 10:08
HMC903LP3E是一款自偏置、砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶(pHEMT)、低噪声放大器(LNA)，提供可选偏置控制来降低IDQ。采用16引脚、3 mm × 3 mm
2025-03-21 15:14
HMC963LC4是一款自偏置GaAs MMIC低噪声放大器，采用无引脚4x4 mm陶瓷表面贴装封装。 该放大器的工作频率范围为6至26.5 GHz，提供20 dB的小信号增益，2.5 dB
2025-03-21 15:45
工程师们一般都把RF低噪声放大器设计视为畏途。要在稳定高增益情况下获得低噪声系数可能极具挑战性，甚至使人畏惧。不过，采用最新的GaAs（砷化镓）异质结FET，可以设计出有高稳定增益和低于1dB噪声系数的放大器。本设计
2017-11-23 17:17
低噪声放大器简介
2023-01-07 09:28
HMC8410CHIPS是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、低噪声宽带放大器，工作频率范围为0.01 GHz至10 GHz
2025-03-12 09:21
