100N10-ASEMI中低压MOS管100N10
2022-06-24 14:39
20N10-ASEMI中低压MOS管20N10
2022-06-21 14:52
FS4406A无线充专用低压MOS管规格书
2023-07-03 15:20
● 沟槽功率低压MOSFET技术● 低导通电阻 ● 低栅极电荷
2025-07-09 15:02
先进沟槽工艺技术 高密度单元设计实现超低导通电阻
2025-07-10 14:02
高密度电池设计实现极低导通电阻 卓越的导通电阻与最大直流电流承载能力
2025-07-10 14:19
这款20V N沟道MOSFET采用双芯片设计，基于MDD独特的器件结构，可实现低导通电阻和快速开关特性。
2025-07-10 14:30
优异的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、低栅极电压
2025-07-10 14:27
这款N沟道MOSFET采用MDD独特的器件设计，实现了低导通电阻(RDS(ON))和快速开关性能。其低阈值电压系列专为同步整流电源系统设计，适用于低驱动电压应用场景。
2025-07-10 14:29
