电学元件的伏安特性测量:电路中有各种电学元件，如线性电阻，半导体二极管和三极管，以及光敏，热敏和压敏元件等。
2010-10-06 10:54
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2023-11-20 14:38
电阻器的伏安特性:线性电阻器是理想元件，在任何时刻它两端的电压与其电流的关系服从欧姆定律。如果把电阻元件的电压取作纵坐标，电流取横坐标，画出电压～电流的关系曲
2008-12-08 18:55
介绍一种用单片机控制的自动伏安特性测试仪，以MAxIM公司的高频波形发生器MA刀〕38为核心构成，对其振荡频率控制、信号输出幅度控制的实现作了较详细的论述，给出了相应部分
2009-03-18 10:57
可能出现的后续回击电流不仅有极陡的上升沿，还会影响限压元件的伏安特性，影响两级SPD间的能量配合。对MOV在后续回击下的伏安特性进行了试验研究，基于MOV在后续回击电流
2018-03-13 11:25
因为项目需用到MOC3201控制双向可控硅驱动12V交流负载，但是双向可控硅的外围电路电阻级电容作用很是不解，就从普通的晶闸管（可控硅）开始从原理分析。以下是翻阅了几本电力电子技术书籍总结的相关知识。 普通晶闸管的工作原理 晶闸管全称晶体闸流管，也称为可控硅。其内部结构及等效电路如图所示晶闸管的内部结构可以等效为两个互补连接的三极管。当g极有足够的门极电压，且晶闸管的阳极也有正向电压，那么T1三
2023-03-06 14:45
介绍一种用单片机控制的自动伏安特性测试仪，以MAxIM公司的高频波形发生器MA刀38为核心构成，对其振荡频率控制、信号输出幅度控制的实现作了较详细的论述，给出了相应部分
2009-03-05 10:45
本文介绍了半导体二极管的结构、伏安特性和参数等相关知识的介绍。
2017-11-23 11:49
本标准规定了在自然或模拟太阳光下，晶体硅光伏器件的电流一电压特性的测量方法。这些方法适用于单体太阳电池，太阳电池组合或平板式组件。 2.一般测量要求 2.1测量辐照度应使用经过标定的标准太阳电池
2017-11-13 15:15
一般地，具有PNPN四层三结结构的器件是晶闸管。严格来说，根据国际电工委员会（IEC）的标准定义，具有3个或者3个 以上PN结，其伏安特性至少在一个象限内具有导通和阻断两个稳定状态，并可以在两个
2023-03-06 14:12
