MOSFET的非理想特性对模拟集成电路设计具有重要影响。文章介绍了非理想特性的多个方面，包括电容、体效应、沟道长度调制、亚阈值导通、迁移率下降以及饱和速度和压敏降阈。同时，工艺、电压和温度变化也对晶体管性能产生影响。
2023-11-16 16:15
迈克耳孙干涉仪白光等倾干涉的实现、条纹特征及形成机理是光学研究中的重要内容。以下是对这些方面的详细解释： 一、迈克耳孙干涉仪白光等倾干涉的实现 迈克耳孙干涉仪利用分振幅法产生双光束以实现干涉。在白光
2025-01-23 14:58 广州万智光学技术有限公司 企业号
Li/SOCl2电池由锂负极、碳正极和一种非水的SOCl2：LiAlCl4电解质组成。亚硫酰氯既是电解质，又是正极活性物质。其他的电解质盐，例如LiAlCl4，在特殊设计的电池中使用过，但电解液配方不同，电极性能就不同。负极、正极和SOCl2的成分要根据电池预期获
2018-02-05 11:35
由上述概念可知，对于常用的电源拓扑而言，非隔离电源主要有：Buck、Boost、Buck-Boost等;而隔离电源主要有各种带隔离变压器的反激、正激、半桥、LLC等拓扑。
2018-03-13 11:06
电子发烧友网讯：国内知名电源技术专家陶显芳不辞劳苦，在双节期间仍坚持为各位电源工程师或爱好者排忧解难，写出一些工程师们非常关心的技术问题和常见的电源问题及解决方法
2012-10-09 10:37
HMC345ALP3E是一款宽带非反射GaAs MESFET SP4T开关，采用低成本无引脚表贴封装。该开关频率范围为DC至8 GHz，具有高隔离和低插入损耗。该开关还集成了板载二进制解码电路，将所需逻辑控制线减至两条。该开关采用0/+5V正控制电压工作，所需固定
2025-03-06 16:59
像素中心之间的距离有几个至十几个微米不等。为了最大限度利用图像信息来提高分辨率，有人提出了亚像素概念。意思是说，在两个物理像素之间还有像素，称之为亚像素，它完全是通过计算方法得出来的。
2023-07-31 15:53
强场亚周期光脉冲的产生是未来激光光源发展所追求的先进内容之一。
2023-11-28 11:06
1 深亚微米 BiCMOS[B] 技术 器件进入深亚微米特征尺寸，为了抑制 MOS 穿通电流和减小短沟道效应，深亚微米制造工艺提出如下严格的要求： （1）高质量栅氧化膜。栅氧化膜厚度
2018-03-16 10:29
什么是阻塞和非阻塞？我们就用管道的读写来举例子。
2024-03-25 10:04
