功率MOSFET有二种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N
2024-10-30 15:24
MOSFET多数是载流子器件， N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子
2018-03-09 14:28
借助 n 沟道和 p 沟道 MOSFET，您可以轻松地实现单刀双掷 （SPDT） 开关，以隔离电路的一部分，并在电路其余部分关闭时从次级电源为其供电，以便待机工作 （图
2023-05-31 17:49
电流检测放大器和乘法器组合（MAX4211F）检测负载两端的电流和电压，并在其输出端（POUT）之一提供与这些变量的连续乘积成比例的电压，即与负载的瞬时功率成正比。外部运算放大器产生相应的PWM（脉宽调制）输出信号，用于控制与负载串联的p沟道
2023-01-12 16:53
本实验活动的目标是研究有源整流器电路。具体而言，有源整流器电路集成了运算放大器、低阈值P沟道MOSFET和反馈环路，以合成一个正向压降低于传统PN结二极管的单向电流阀或整流器。
2023-07-08 11:04
AAT4610将6V/2A的P沟道MOSFET场效应管与栅极驱动器、电压基准、限流比较器和欠压闭锁电路组合在SOT-23-5封装中(如图2)。其中MOSFET是一个电子
2018-12-06 13:49
MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同，MOSFET可分为电子占多数的N
2023-04-13 09:40
MOSFET的栅极电荷（米勒电容）以及控制IC的驱动能力。本应用笔记将详细分析导通开关损耗以及选择开关P沟道MOSFET的标准。
2023-03-10 09:26
沟道 MOSFET 与电池及其负载串联。它用作常闭开关，如果电流检测放大器和比较器检测到高负载电流或低电池电压，则可以打开该开关。高电流比较器可以锁存以检测短暂的过流，并通过外部按钮复位。
2023-01-12 15:38
