场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种通过改变电场来控制半导体材料导电性能的电子器件。根据导电沟道中载流子的类型，场效应管可以分为N
2024-09-23 16:41
N沟道场效应管（N-Channel Field Effect Transistor, N-Channel FET）和P沟道场效应
2024-09-23 16:38
仅采用四只N沟道场效应管的 全桥驱动电路 工作时，在驱动控制Ic的控制下，使V1、V4同时导通，V2、V3同时导通，且V1、V4导通时，V2、V3截止，也就是说，V1、V4与V2、V3是交替导通的，使
2012-04-05 11:32
根据提问者的意思，N沟道场效应管栅极（G极）电压是否可以大于漏极（D极）电压？为什么？
2023-05-09 09:06
MT3287 N沟道场效应管是一款高性能的半导体器件，广泛应用于各种电子设备和系统中。其独特的70V耐压、80A的电流承载能力以及6.8毫欧的低电阻特性，使得它在电力电子、工业自动化、汽车电子等领域
2024-07-04 15:13
型号:HC3400M 参数：30V 5.8A 类型：N沟道场效应管 内阻27mR(Vgs=10V) 低结电容635pF 封装：SOT23-3 低开启电压0.7V 100V大电流系列：2N
2021-09-27 14:20
纯半导体的导电性能很差，但是可以通过加入一些特殊的杂质增强其导电能力。N型MOSFET会引入额外可移动的负电荷（电子），此时为N型（N沟道）参杂，在
2023-02-11 14:36
N沟道场效应管栅极（G极）电压是否可以大于漏极（D极）电压？ 大部分情况下，场效应管的栅极电压（G极）不会大于漏极电压（D极）。这是因为场效应管的工作原理是通过改变栅极
2023-11-23 09:13
特性 - 双N沟道逻辑电平（增强模式） - 通过AEC Q101认证 - MSL1峰值回流温度高达260°C - 175°C工作温度 - 环保产品（符合RoHS规范） - 100%通过雪崩测试 优势
2024-08-13 10:14
KW25N120E是电磁炉里较常用的一款大功率IGBT管，该管内部采用N沟道场效应管作为输入级，具有很高的输入电阻。
2020-03-14 11:00
