全部采用N沟道场效应管的推挽功效说明。
2021-04-10 09:52
场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种通过改变电场来控制半导体材料导电性能的电子器件。根据导电沟道中载流子的类型，场效应管可以分为N
2024-09-23 16:41
N沟道场效应管（N-Channel Field Effect Transistor, N-Channel FET）和P沟道场效应
2024-09-23 16:38
NDS9410A N沟道场效应管 using Fairchild Semiconductor’s advancedPowerTrench process that has been
2008-05-14 23:50
仅采用四只N沟道场效应管的 全桥驱动电路 工作时，在驱动控制Ic的控制下，使V1、V4同时导通，V2、V3同时导通，且V1、V4导通时，V2、V3截止，也就是说，V1、V4与V2、V3是交替导通的，使
2012-04-05 11:32
根据提问者的意思，N沟道场效应管栅极（G极）电压是否可以大于漏极（D极）电压？为什么？
2023-05-09 09:06
MT3287 N沟道场效应管是一款高性能的半导体器件，广泛应用于各种电子设备和系统中。其独特的70V耐压、80A的电流承载能力以及6.8毫欧的低电阻特性，使得它在电力电子、工业自动化、汽车电子等领域
2024-07-04 15:13
型号:HC3400M 参数：30V 5.8A 类型：N沟道场效应管 内阻27mR(Vgs=10V) 低结电容635pF 封装：SOT23-3 低开启电压0.7V 100V大电流系列：2N
2021-09-27 14:20
